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1. (WO2010087227) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ, ERBIUM DE HAUTE PURETÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION COMPOSÉE D'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ ET PELLICULE DE GÂCHETTE EN MÉTAL COMPORTANT DE L'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ COMME COMPOSANT PRINCIPAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087227    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050258
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 13.01.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.06.2010    
CIB :
C22B 59/00 (2006.01), C22B 9/02 (2006.01), C22B 9/04 (2006.01), C22B 9/14 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : JX Nippon Mining & Metals Corporation [JP/JP]; 6-3, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008164 (JP) (Tous Sauf US).
SHINDO Yuichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAGI Kazuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHINDO Yuichiro; (JP).
YAGI Kazuto; (JP)
Mandataire : OGOSHI Isamu; OGOSHI International Patent Office Daini-Toranomon Denki Bldg., 5F, 3-1-10 Toranomon, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-017629 29.01.2009 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY ERBIUM, HIGH-PURITY ERBIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF HIGH-PURITY ERBIUM, AND METAL GATE FILM HAVING HIGH-PURITY ERBIUM AS MAIN COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ, ERBIUM DE HAUTE PURETÉ, CIBLE DE PULVÉRISATION COMPOSÉE D'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ ET PELLICULE DE GÂCHETTE EN MÉTAL COMPORTANT DE L'ERBIUM DE HAUTE PURETÉ COMME COMPOSANT PRINCIPAL
(JA) 高純度エルビウムの製造方法及び高純度エルビウム並びに高純度エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度エルビウムを主成分とするメタルゲート膜
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a high-purity erbium, wherein a crude erbium oxide is mixed with a reduced metal, erbium is reduced and distilled by heating the mixed material in vacuum, the reduced and distilled erbium is molten in an inert atmosphere and a high-purity erbium is obtained. A high-purity erbium which has a purity of 4N or more, excluding rare-earth elements and gas components, and contains 200 wtppm or less of oxygen is also provided. Furthermore, a method for highly purifying erbium, which is difficult to be purified in the metal's molten state with high vapor pressure, a high-purity erbium obtained by such method, a sputtering target composed of a high-purity material erbium, and a technology of efficiently and stably providing a metal gate thin film having a high-purity material erbium as the main component are also provided.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un erbium de haute pureté, dans lequel un oxyde d'erbium brut est mélangé avec un métal réduit, l'erbium est réduit et distillé en chauffant le matériau mélangé dans le vide, l'erbium réduit et distillé est fondu dans une atmosphère inerte et un erbium de haute pureté est obtenu. Elle concerne aussi un erbium de haute pureté dont la pureté est supérieure ou égale à 4N, à l'exclusion d'éléments de terres rares et de composants gazeux, et dont la teneur en oxygène est inférieure ou égale à 200 ppm en poids. L'invention concerne en outre un procédé de purification approfondie de l'erbium, qui est difficile à purifier à l'état fondu du métal avec une forte pression de vapeur, un erbium de haute pureté obtenu par un tel procédé, une cible de pulvérisation composée d'un erbium de matériau à haute pureté, et une technologie de réalisation efficace et stable d'une pellicule mince de gâchette en métal comportant de l'erbium de matériau à haute pureté comme composant principal.
(JA) 粗酸化エルビウムを還元金属と混合し、真空中で加熱してエルビウムを還元及び蒸留し、さらにこれを不活性雰囲気中で溶解して高純度のエルビウムを得ることを特徴とする高純度エルビウムの製造方法、及び希土類元素及びガス成分を除いた純度が4N以上であり、酸素含有量が200wtppm以下であることを特徴とする高純度エルビウム。蒸気圧が高く金属溶融状態での精製が難しいエルビウムを高純度化する方法及びそれによって得られた高純度エルビウム並びに高純度材料エルビウムからなるスパッタリングターゲット及び高純度材料エルビウムを主成分とするメタルゲート用薄膜を効率的かつ安定して提供できる技術を提供することを課題とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)