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1. (WO2010087211) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/087211    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/000617
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 02.02.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.09.2010    
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
FUJII, Satoru; (US Seulement).
ARITA, Koji; (US Seulement).
MITANI, Satoru; (US Seulement).
MIKAWA, Takumi; (US Seulement)
Inventeurs : FUJII, Satoru; .
ARITA, Koji; .
MITANI, Satoru; .
MIKAWA, Takumi;
Mandataire : PATENT CORPORATE BODY ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1 Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-021633 02.02.2009 JP
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE, DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The disclosed non-volatile memory element is provided with a first electrode (103), a second electrode (105), and a resistance change layer (104) present between the first electrode (103) and the second electrode (105), and the resistance value of which changes reversibly based on an electrical signal provided between the two electrodes (103, 105). The resistance change layer (104) is configured by lamination of a first tantalum oxide layer (107) that includes a first tantalum oxide and a second tantalum oxide layer (108) that includes a second tantalum oxide having an oxygen content different from the first tantalum oxide, and is configured to satisfy 0 < x < 2.5 when the first tantalum oxide is represented as TaOx and to satisfy x < y ≦ 2.5 when the second tantalum oxide is represented as TaOy. The second electrode (105) contacts the second tantalum oxide layer (108), and the second electrode (105) is composed of platinum and tantalum.
(FR)L'élément de mémoire non volatile met en œuvre une première électrode (103), une seconde électrode (105) et une couche de variation de résistance (104) intercalée entre la première électrode (103) et la seconde électrode (105) et dont la valeur de résistance varie en raison inverse d'un signal électrique appliqué entre les deux électrodes (103, 105). La couche de variation de résistance (104) est composée de sorte à ce que s'empilent une première couche d'oxyde de tantale (107) comprenant un premier oxyde de tantale, et une seconde couche d'oxyde de tantale (108) comprenant un second oxyde de tantale dont la teneur en oxygène est différente de celle du premier oxyde de tantale; de telle sorte que, lorsque le premier oxyde de tantale s'exprime par TaOx, la relation 0y, la relation x
(JA) 本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第2電極(105)と、第1電極(103)と第2電極(105)との間に介在し、両電極(103,105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は、第1のタンタル酸化物を含む第1のタンタル酸化物層(107)と第1のタンタル酸化物と酸素含有率が異なる第2のタンタル酸化物を含む第2のタンタル酸化物層(108)とが積層されて構成され、且つ第1のタンタル酸化物をTaOと表した場合に0<x<2.5を満足し、且つ第2のタンタル酸化物をTaOと表した場合にx<y≦2.5を満足するように構成されており、第2電極(105)が第2のタンタル酸化物層(108)と接触しており、且つ第2電極(105)が白金とタンタルとで構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)