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1. (WO2010086952) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086952    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/007352
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 28.12.2009
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
MIKI, Keiji; (US Seulement)
Inventeurs : MIKI, Keiji;
Mandataire : MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg.,5-7,Hommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-019328 30.01.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is provided with: an electrode pad (37) which is formed in a chip region (12) on a substrate (11); and a protruding section (51), which is continuously formed in a region outside of the electrode pad (37) within the chip region (12) so as to surround the inner side of the chip region (12).  The protruding section (51) is formed higher than the electrode pad (37).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend : une plage d'électrode (37) qui est formée dans une région de puce (12) sur un substrat (11) ; et une section saillante (51), qui est formée de façon continue dans une région à l'extérieur de la plage d'électrode (37) dans la région de puce (12) de façon à entourer le côté interne de la région de puce (12). La section saillante (51) est formée plus haut que la plage d'électrode (37).
(JA) 基板(11)上のチップ領域(12)に形成された電極パッド(37)と、チップ領域(12)内で且つ電極パッド(37)よりも外側の領域上に、チップ領域(12)の内側を取り囲むように連続して形成された突起部(51)とを備える。突起部(51)は、電極パッド(37)よりも高く形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)