WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010086594) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLECTRODES DE SOURCE ET DE DRAIN DE TRANSISTORS À FILM MINCE ORGANIQUES PAR DÉPÔT AUTOCATALYTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086594    N° de la demande internationale :    PCT/GB2010/000120
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 27.01.2010
CIB :
H01L 51/10 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire CB23 6DW (GB) (Tous Sauf US).
BURROUGHES, Jeremy [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CARTER, Julian [--/GB]; (GB) (US Seulement).
WHITING, Gregory [GB/US]; (US) (US Seulement).
HALLS, Jonathan, James, Michael [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
WEBER, Karl [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WHITING, Gregory; (US Seulement)
Inventeurs : BURROUGHES, Jeremy; (GB).
CARTER, Julian; (GB).
WHITING, Gregory; (US).
HALLS, Jonathan, James, Michael; (GB).
WEBER, Karl; (AU).
WHITING, Gregory;
Mandataire : SHARP, Alan; IP Department Cambridge Display Technology Ltd Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire CB23 6DW (GB)
Données relatives à la priorité :
0901578.5 30.01.2009 GB
Titre (EN) METHOD OF FORMING SOURCE AND DRAIN ELECTRODES OF ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS BY ELECTROLESS PLATING
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLECTRODES DE SOURCE ET DE DRAIN DE TRANSISTORS À FILM MINCE ORGANIQUES PAR DÉPÔT AUTOCATALYTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing an organic thin film transistor, the method comprising: depositing a source and drain electrode over a substrate using a solution processing technique; forming a work function modifying layer over the source and drain electrodes using a solution processing technique; and depositing an organic semi-conductive material in a channel region between the source and drain electrode using a solution processing technique.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un transistor à film mince organique, le procédé comprenant : le dépôt d'électrodes de source et de drain sur un substrat à l'aide d'une technique de traitement en solution; la formation d'une couche de modification de travail d'extraction sur les électrodes de source et de drain à l'aide d'une technique de traitement en solution; et le dépôt d'un matériau semi-conducteur organique dans une région de canal entre les électrodes de source et de drain à l'aide d'une technique de traitement en solution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)