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1. (WO2010086450) DÉTECTEUR DE GAZ, DOTÉ DE NANOSTRUCTURES FILIFORMES, RÉSEAU DE DÉTECTEURS ET PROCÉDÉ DE MESURE UTILISANT LEDIT DÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086450    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/051206
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 01.02.2010
CIB :
G01N 27/12 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITAT DE BARCELONA [ES/ES]; Gran Via de les Corts Catalanes, 585 E-08007 Barcelona (ES) (Tous Sauf US).
FUNDACIÓ PRIVADA INSTITUT DE RECERCA EN ENERGIA DE CATALUNYA [ES/ES]; Av. Diagonal, 453 bis, Planta Àtic E-08036 Barcelona (ES) (Tous Sauf US).
PRADES GARCÍA, Juan Daniel [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
HERNÁNDEZ RAMÍREZ, Francisco de Paula [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
MORANTE LLEONART, Juan Ramón [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
CIRERA HERNÁNDEZ, Albert [ES/ES]; (ES) (US Seulement).
ROMANO RODRÍGUEZ, Alberto [ES/ES]; (ES) (US Seulement)
Inventeurs : PRADES GARCÍA, Juan Daniel; (ES).
HERNÁNDEZ RAMÍREZ, Francisco de Paula; (ES).
MORANTE LLEONART, Juan Ramón; (ES).
CIRERA HERNÁNDEZ, Albert; (ES).
ROMANO RODRÍGUEZ, Alberto; (ES)
Mandataire : PONTI SALES, Adelaida; C. Consell de Cent, 322 E-08007 Barcelona (ES)
Données relatives à la priorité :
P200900334 02.02.2009 ES
P200930050 07.04.2009 ES
P201030102 27.01.2010 ES
Titre (EN) GAS SENSOR, EQUIPPED WITH THREADLIKE NANOSTRUCTURES, NETWORK OF SENSORS AND MEASUREMENT METHOD USING SAID SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE GAZ, DOTÉ DE NANOSTRUCTURES FILIFORMES, RÉSEAU DE DÉTECTEURS ET PROCÉDÉ DE MESURE UTILISANT LEDIT DÉTECTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Gas (2) sensor (1), equipped with one or more substantially threadlike nanostructures (3) disposed between two electrodes (4, 5) thus allowing to measure said concentration by the measurement of an electrical parameter representative of the electrical resistance of said nanostructures (3) from a measuring current (I), the threadlike structures being characterized in that they have a range of gas (2) concentration sensitivity temperatures, wherein the number and type of threadlike nanostructures (3) and their disposal between said electrodes (4, 5) is such that the total electrical resistance of said disposal between the electrodes allows raising the temperature of said threadlike nanostructures (3) to a temperature included in said range of temperatures with the measuring current (I), thus allowing to measure said electrical parameter and raise the temperature of one or more of said nanostructures (3) with a single circuit and with minimum electric power.
(FR)La présente invention concerne un détecteur (1) de gaz (2), doté d'une ou plusieurs nanostructure (3) sensiblement filiformes disposées entre deux électrodes (4, 5) permettant ainsi de mesurer ladite concentration par la mesure d'un paramètre électrique représentant la résistance électrique desdites nanostructures (3) d'un courant de mesure (I), les structures filiformes étant caractérisées en ce qu'elles ont une plage de températures de sensibilité à la concentration en gaz (2), le nombre et le type de nanostructure (3) filiformes et leur disposition entre lesdites électrodes (4, 5) étant tels que la résistance électrique totale de ladite disposition entre lesdites électrodes permet de faire augmenter la température desdites nanostructures (3) filiformes jusqu'à une température comprise dans ladite plage de températures avec le courant de mesure (I), permettant ainsi de mesurer ledit paramètre électrique et de faire augmenter la température d'une ou de plusieurs desdites nanostructures (3) avec un seul circuit et avec une puissance électrique minimale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)