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1. (WO2010086363) AGENCEMENT ET PROCÉDÉ DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE ET DE LA CROISSANCE EN ÉPAISSEUR DE BARREAUX DE SILICIUM DANS UN RÉACTEUR DE DÉPÔT DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086363    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/050988
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 28.01.2010
CIB :
C01B 33/035 (2006.01), G01B 11/06 (2006.01), G01B 11/08 (2006.01), G01B 21/08 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : CENTROTHERM SITEC GMBH [DE/DE]; Johannes-Schmid-Straße 8 89143 Blaubeuren (DE) (Tous Sauf US).
WILFRIED, Vollmar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STUBHAN, Frank [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WILFRIED, Vollmar; (DE).
STUBHAN, Frank; (DE)
Mandataire : LIPPERT, STACHOW & PARTNER; Krenkelstraße 3 01309 Dresden (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 006 600.4 29.01.2009 DE
10 2009 010 086.5 24.02.2009 DE
Titre (EN) ARRANGEMENT AND METHOD FOR MEASUREMENT OF THE TEMPERATURE AND OF THE THICKNESS GROWTH OF SILICON RODS IN A SILICON DEPOSITION REACTOR
(FR) AGENCEMENT ET PROCÉDÉ DE MESURE DE LA TEMPÉRATURE ET DE LA CROISSANCE EN ÉPAISSEUR DE BARREAUX DE SILICIUM DANS UN RÉACTEUR DE DÉPÔT DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an arrangement for measurement of the temperature and of the thickness growth of silicon rods in a silicon deposition reactor, by means of a pyrometer which is located outside the reactor. The aim of the invention is to provide an arrangement which allows continuous temperature measurement and measurement of the thickness growth throughout the entire deposition process, with adequate accuracy. This is achieved in that a contactlessly operating temperature measurement device (4) is provided for the temperature measurement and is arranged outside the silicon deposition reactor in front of a viewing window (2), in that the temperature measurement device (4) can be pivoted horizontally about a rotation axis (5) by means of a rotating drive (9), wherein the pivoting axis (5) runs parallel to the longitudinal axis of the silicon rod (1), and wherein the centre axis (6) of the temperature measurement device runs through the pivoting axis (5).
(FR)L'invention concerne un agencement pour la mesure de la température et de la croissance en épaisseur de barreaux de silicium dans un réacteur de dépôt de silicium, au moyen d'un pyromètre situé à l'extérieur du réacteur. L'objectif de l'invention est de proposer un agencement qui permette une mesure continue de la température et une mesure de la croissance en épaisseur pendant la totalité du procédé de dépôt, avec une précision adéquate. Ceci est réalisé en utilisant un dispositif de mesure de la température qui fonctionne sans contact (4) pour la mesure de la température, qui est placé à l'extérieur du réacteur de dépôt de silicium devant une fenêtre d'observation (2), ledit dispositif de mesure de la température (4) pouvant pivoter horizontalement autour d'un axe de rotation (5) au moyen d'une commande rotative (9). Selon l'invention, l'axe de pivotement (5) est parallèle à l'axe longitudinal du barreau de silicium (1) et l'axe central (6) du dispositif de mesure de la température traverse l'axe de pivotement (5).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)