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1. (WO2010086154) RÉGIONS DE DRAIN ET DE SOURCE FORMÉES IN SITU COMPRENANT UN ALLIAGE INDUISANT UNE CONTRAINTE ET UN PROFIL GRADUEL DE DOPANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086154    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/000492
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 27.01.2010
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/165 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC [US/US]; One AMD Place Mail Stop 68 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
HOENTSCHEL, Jan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PAPAGEORGIOU, Vassilios [US/US]; (US) (US Seulement).
GRIEBENOW, Uwe [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HOENTSCHEL, Jan; (DE).
PAPAGEORGIOU, Vassilios; (US).
GRIEBENOW, Uwe; (DE)
Mandataire : PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät Leopoldstraße 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 006 884.8 30.01.2009 DE
12/688,999 18.01.2010 US
Titre (EN) IN SITU FORMED DRAIN AND SOURCE REGIONS INCLUDING A STRAIN INDUCING ALLOY AND A GRADED DOPANT PROFILE
(FR) RÉGIONS DE DRAIN ET DE SOURCE FORMÉES IN SITU COMPRENANT UN ALLIAGE INDUISANT UNE CONTRAINTE ET UN PROFIL GRADUEL DE DOPANT
Abrégé : front page image
(EN)The dopant profile of a transistor may be obtained on the basis of an in situ doped strain inducing semiconductor alloy wherein a graded dopant concentration may be established along the height direction. Consequently, the semiconductor alloy may be positioned in close proximity to the channel region, thereby enhancing the overall strain inducing efficiency, while not unduly compromising the finally obtained dopant profile. Furthermore, additional implant species may be incorporated prior to selectively growing the semiconductor alloy thereby avoiding implantation induced relaxation of the internal strain.
(FR)Selon la présente invention, le profil de dopant d'un transistor peut être obtenu sur la base d'un alliage semi-conducteur induisant une contrainte, dopé in situ, une concentration graduelle de dopant pouvant être établie dans le sens de la hauteur. En conséquence, l'alliage semi-conducteur peut être positionné à proximité étroite de la région de canal, ce qui améliore la contrainte globale induisant une efficacité, sans pour autant compromettre indûment le profil de dopant finalement obtenu. En outre, des espèces d'implantation supplémentaires peuvent être incorporées avant la croissance sélective de l'alliage semi-conducteur, ce qui évite le relâchement de la contrainte interne induit par l'implantation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)