WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010086152) RÉDUCTION DE VARIATIONS D'ÉPAISSEUR D'UN ALLIAGE SEMI-CONDUCTEUR D'AJUSTEMENT DE SEUIL PAR RÉDUCTION DE NON-UNIFORMITÉS DE FORMATION DES MOTIFS AVANT DÉPÔT DE L'ALLIAGE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086152    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/000490
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 27.01.2010
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68 P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
KRONHOLZ, Stephan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
NAUMANN, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BEERNINK, Gunda [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KRONHOLZ, Stephan; (DE).
NAUMANN, Andreas; (DE).
BEERNINK, Gunda; (DE)
Mandataire : PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Leopoldstrasse 4 80802 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 006 886.4 30.01.2009 DE
12/693,227 25.01.2010 US
Titre (EN) REDUCTION OF THICKNESS VARIATIONS OF A THRESHOLD ADJUSTING SEMICONDUCTOR ALLOY BY REDUCING PATTERNING NON-UNIFORMITIES PRIOR TO DEPOSITING THE SEMICONDUCTOR ALLOY
(FR) RÉDUCTION DE VARIATIONS D'ÉPAISSEUR D'UN ALLIAGE SEMI-CONDUCTEUR D'AJUSTEMENT DE SEUIL PAR RÉDUCTION DE NON-UNIFORMITÉS DE FORMATION DES MOTIFS AVANT DÉPÔT DE L'ALLIAGE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The growth rate in a selective epitaxial growth process for depositing a threshold adjusting semiconductor alloy, such as a silicon/germanium alloy, may be enhanced by performing a plasma assisted etch process prior to performing the selective epitaxial growth process. For example, a mask layer may be patterned on the basis of the plasma assisted etch process, thereby simultaneously providing for a superior device topography during the subsequent growth process. Hence, the threshold adjusting material may be deposited with enhanced thickness uniformity, thereby reducing overall threshold variability.
(FR)Selon l'invention, la vitesse de croissance dans un processus de croissance épitaxiale sélective pour déposer un alliage semi-conducteur d'ajustement de seuil, tel qu'un alliage silicium/germanium, peut être améliorée par l'exécution d'un traitement de gravure assistée par plasma avant d'exécuter le processus de croissance épitaxiale sélective. Par exemple une couche de masque peut être soumise à une formation des motifs sur la base du processus de gravure assistée par plasma, assurant ainsi simultanément une topographie de dispositif supérieure pendant le processus de croissance subséquent. Par conséquent, le matériau d'ajustement de seuil peut être déposé avec une meilleure uniformité d'épaisseur, ce qui réduit la variabilité du seuil globale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)