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1. (WO2010086136) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086136    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/000441
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 26.01.2010
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01)
Déposants : SCHOTT AG [DE/DE]; Hattenbergstr. 10 55122 Mainz (DE) (Tous Sauf US).
BOCKMEYER, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
RUDIGER, Eveline [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BOCKMEYER, Matthias; (DE).
RUDIGER, Eveline; (DE)
Mandataire : BERNGRUBER, Otto; von Puttkamer ⋅ Berngruber Türkenstr. 9 80333 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 006 719.1 29.01.2009 DE
Titre (DE) DÜNNSCHICHTSOLARZELLE
(EN) THIN-FILM SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(DE)Eine Dünnschichtsolarzelle weist ein transparentes Substrat (1) auf, auf das eine strukturierte Schicht (2) mit einem durch Erhöhungen und/oder Vertiefungen gebildeten periodischen Muster (10) auf gebracht ist, auf die nacheinander mehrere Schichten, einschließlich einer Frontelektrodenschicht (3), ggf. einer Pufferschicht, wenigstens einer Halbleiterschicht (4) und einer Rückelektrodenschicht (12) abgeschieden werden. In Sonderfällen können eine oder mehrere weitere Funktionsschichten, wie bspw. eine Diffusionsbarriere, ober- oder unterhalb der strukturierten Schicht abgeschieden werden. Die strukturierte Schicht (2) wird durch Prägen oder Drucken einer Schicht gebildet, die nach dem Sol-Gel-Verfahren hergestellt ist. Die strukturierte Schicht (2) weist eine Brechzahl auf, die größer als die Brechzahl des Substrat (1) und höchstens so groß wie die Brechzahl der Frontelektrodenschicht (3) ist. Der Abstand (a) zwischen den Erhöhungen und/oder Vertiefungen benachbarter periodischer Muster (10) liegt im Submikrometer-Bereich.
(EN)A thin-film solar cell comprises a transparent substrate (1) onto which a structured layer (2) having a periodical pattern (10) of elevations and/or depressions is applied, a plurality of layers, including a front electrode layer (3), optionally a buffer layer, at least one semiconductor layer (4) and a backing electrode layer (12) being deposited onto the structured layer one by one. In special cases, one or more additional functional layers, such as a diffusion barrier, can be deposited above or below the structured layer. The structured layer (2) is produced by embossing or printing a layer which is produced according to the sol gel method. The structured layer (2) has a refractive index greater than the refractive index of the substrate (1) and not more than the refractive index of the front electrode layer (3). The distance (a) between the elevations and/or depressions of adjacent periodical patterns (10) is in the submicrometer range.
(FR)L'invention concerne une couche solaire en couches minces comprenant un substrat transparent (1) sur lequel est appliquée une couche structurée (2) à motif périodique (10) formé d'élévations et/ou d'évidements, couche structurée sur laquelle sont déposées successivement plusieurs couches parmi lesquelles figurent une couche d'électrode avant (3), éventuellement une couche tampon, au moins une couche de semiconducteur (4) et une couche d'électrode arrière (12). Dans certains cas particuliers, une ou plusieurs autres couches fonctionnelles, par exemple une barrière de diffusion, peuvent être déposées au-dessus ou en dessous de la couche structurée. La couche structurée (2) est formée par estampage ou compression d'une couche obtenue par le procédé sol-gel. La couche structurée (2) présente un indice de réfraction supérieur à celui du substrat (1) et au maximum égal à celui de la couche d'électrode avant (3). La distance (a) entre les élévations et/ou les évidements de motifs périodiques (10) adjacents est de l'ordre du sous-micron.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)