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1. (WO2010086135) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086135    N° de la demande internationale :    PCT/EP2010/000440
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 26.01.2010
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01)
Déposants : SCHOTT AG [DE/DE]; Hattenbergstr. 10 55122 Mainz (DE) (Tous Sauf US).
RUDIGIER, Eveline [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BOCKMEYER, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
BAUER, Stefan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HAGEMANN, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : RUDIGIER, Eveline; (DE).
BOCKMEYER, Matthias; (DE).
BAUER, Stefan; (DE).
HAGEMANN, Volker; (DE)
Mandataire : VON PUTTKAMER ⋅ BERNGRUBER; Türkenstrasse 9 80333 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 006 718.3 29.01.2009 DE
Titre (DE) DÜNNSCHICHTSOLARZELLE
(EN) THIN FILM SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(DE)Auf das transparente Substrat (1) einer Dünnschichtsolarzelle ist eine strukturierte Schicht (2) aus einer nach dem Sol-Gel-Verfahren erhaltenen Matrix und Struktur gebenden Partikeln aufgebracht. Darauf werden nacheinander mehrere Schichten, einschließlich einer Frontelektrodenschicht (3), wenigstens einer Halbleiterschicht (4) und einer Rückelektrodenschicht (12) abgeschieden. Die strukturierte Schicht (2) bildet damit ein Textur-Templat für die verschiedenen Schichten, einschließlich der Frontelektroden- (3) und Rückelektrodenschicht (12), die damit jeweils eine strukturierte, lichtstreuende Oberfläche erhalten. Die strukturierte Schicht (2) weist eine Brechzahl auf, die größer ist als die Brechzahl des Substrats (1) und höchstens so groß wie die Brechzahl der Frontelektrodenschicht (3).
(EN)A structured layer (2) made of a matrix obtained according to the sol-gel process and particles providing structure are applied to the transparent substrate (1) of a thin film solar cell. Thereon, several layers are successively deposited, including a front electrode layer (3), at least one semiconductor layer (4) and a back electrode layer (12). The structured layer (2) thus forms a texture template for the various layers, including the front electrode (3) and back electrode layer (12), which thus are each provided with a structured, light-scattering surface. The structured layer (2) has a refractive index that is greater than the refractive index of the substrate (1) and no greater than the refractive index of the front electrode layer (3).
(FR)Une couche structurée (2), constituée d'une matrice obtenue par le procédé sol-gel et de particules structurantes, est appliquée sur le substrat transparent (1) d'une cellule solaire en couches minces. Plusieurs couches, parmi lesquelles figurent une couche d'électrode avant (3), au moins une couche de semiconducteur (4) et une couche d'électrode arrière (12), sont déposées successivement sur la couche structurée. La couche structurée (2) constitue ainsi un modèle de structure pour les différentes couches, dont la couche d'électrode avant (3) et la couche d'électrode arrière (12), qui obtiennent ainsi une surface structurée diffusant la lumière. La couche structurée (2) présente un indice de réfraction supérieur à celui du substrat (1) et au maximum égal à celui de la couche d'électrode avant (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)