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1. (WO2010086067) TRANSISTOR DE MÉMOIRE À GRILLE FLOTTANTE NON PLANE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/086067    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/067347
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 16.12.2009
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
ZHU, Huilong [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Derek [SE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHU, Huilong; (US).
CHEN, Derek; (US)
Mandataire : LITHERLAND, David, Peter; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
61/148,060 29.01.2009 US
Titre (EN) MEMORY TRANSISTOR WITH A NON-PLANAR FLOATING GATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR DE MÉMOIRE À GRILLE FLOTTANTE NON PLANE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A flash memory device comprises: a wafer; a gate oxide layer (140) disposed upon the wafer; a floating gate disposed upon the gate oxide layer, the wafer, or a combination thereof; the floating gate comprising a flat floating gate portion (200) and a generally rectangular floating gate portion (210) disposed upon selected areas of the flat floating gate portion; a high K dielectric material (120) disposed upon the floating gate; and a control gate (110) disposed upon the high K dielectric material; wherein the high K dielectric material forms a zigzag pattern coupling the floating gate with the control gate.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de mémoire flash qui comporte : une tranche ; une couche d'oxyde de grille (140) agencée sur la tranche ; une grille flottante agencée sur la couche d'oxyde de grille, la tranche, ou sur une combinaison des deux, la grille flottante comportant une partie de grille flottante plate (200) et une partie de grille flottante sensiblement rectangulaire (210) agencée sur des zones sélectionnées de la partie de grille flottante plate ; un matériau diélectrique à constante diélectrique élevée (120) agencé sur la grille flottante, et une grille de commande (110) agencée sur le matériau diélectrique à constante diélectrique élevée ; le matériau diélectrique à constante diélectrique élevée formant un motif en zigzag couplant la grille flottante à la grille de commande.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)