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1. (WO2010085928) MÉLANGE DE GRAVURE POUR LA PRODUCTION D'UNE SURFACE STRUCTURÉE SUR DES SUBSTRATS EN SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085928    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/001730
Date de publication : 05.08.2010 Date de dépôt international : 09.12.2009
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : SOVELLO AG [DE/DE]; Sonnenallee 14-30 06766 Bitterfeld-Wolfen (DE) (Tous Sauf US).
PREISING, Henri [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SPEER, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GÖTHE, Gunnar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
AXMANN, Hans-Jörg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MATTHIAS, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SEYBOTH, Daniel [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : PREISING, Henri; (DE).
SPEER, Volker; (DE).
GÖTHE, Gunnar; (DE).
AXMANN, Hans-Jörg; (DE).
MATTHIAS, Michael; (DE).
SEYBOTH, Daniel; (DE)
Mandataire : VON DEN STEINEN, Axel; Advotec. Patent- und Rechtsanwälte Beethovenstrasse 5 97080 Würzburg (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 007 136.9 02.02.2009 DE
Titre (DE) ÄTZMISCHUNG ZUR HERSTELLUNG EINER STRUKTURIERTEN OBERFLÄCHE AUF SILIZIUMSUBSTRATEN
(EN) ETCHING MIXTURE FOR PRODUCING A STRUCTURED SURFACE ON SILICON SUBSTRATES
(FR) MÉLANGE DE GRAVURE POUR LA PRODUCTION D'UNE SURFACE STRUCTURÉE SUR DES SUBSTRATS EN SILICIUM
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Ätzmischung zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche auf Siliziumsubstraten. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Oberfläche auf Siliziumsubstraten, insbesondere zur Texturierung von multikristallinen Silizium-Wafern.
(EN)The invention relates to an etching mixture for producing a structured surface on silicon substrates. The present invention further relates to a method for producing a structured surface on silicon substrates, in particular for texturing multicrystalline silicon wafers.
(FR)L'invention concerne un mélange de gravure servant à la production d'une surface structurée sur des substrats en silicium. La présente invention concerne en outre un procédé de production d'une surface structurée sur des substrats en silicium, en particulier pour texturer des galettes de silicium multicristallines.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)