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1. (WO2010085754) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES BARRIÈRES DE DIFFUSION DE DOPANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085754    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/021996
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 25.01.2010
CIB :
H01L 21/223 (2006.01)
Déposants : LUMENZ INC. [US/US]; 8 St. Mary's Street Suite 627 Boston, MA 02215 (US) (Tous Sauf US).
ADEKORE, Bunmi, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
PIERCE, Jonathan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ADEKORE, Bunmi, T.; (US).
PIERCE, Jonathan; (US)
Mandataire : SCOZZAFAVA, Mary, Rose; Wilmer Cutler Pickering Hale And Dorr LLP 60 State Street Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
61/146,710 23.01.2009 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DOPANT DIFFUSION BARRIERS
(FR) DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES BARRIÈRES DE DIFFUSION DE DOPANT
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is provided that includes a first metal oxide semiconductor layer including a first dopant, a second layer, and a first dopant diffusion barrier disposed between the first metal oxide semiconductor layer and the second layer, wherein the first dopant diffusion barrier inhibits diffusion of the first dopant into the second layer. The semiconductor device can serve as a light-emitting device, such as a light-emitting diode.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend une première couche semi-conductrice d'oxyde métallique comprenant un premier dopant, une seconde couche, et une première barrière de diffusion de dopant disposée entre la première couche semi-conductrice d'oxyde métallique et la seconde couche, la première barrière de diffusion de dopant inhibant la diffusion du premier dopant dans la seconde couche. Le dispositif semi-conducteur peut servir de dispositif émetteur de lumière, comme une diode électroluminescente.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)