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1. (WO2010085604) FORMULATION À FAIBLE FORCE DE COMPRESSION, SANS SILICONE ET À GRANDE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE POUR MATÉRIAU D'INTERFACE THERMIQUE ET BOÎTIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085604    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/021735
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 22.01.2010
CIB :
H01L 23/18 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
IRUVANTI, Sushumna [US/US]; (US) (US Seulement).
KEMINK, Randall [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Rajneesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
OSTRANDER, Steven [US/US]; (US) (US Seulement).
SINGH, Prabjit [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : IRUVANTI, Sushumna; (US).
KEMINK, Randall; (US).
KUMAR, Rajneesh; (US).
OSTRANDER, Steven; (US).
SINGH, Prabjit; (US)
Mandataire : PETROKAITIS, Joseph; International Business Machines Corporation Bldg. 321 -M/D 482 2070 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Données relatives à la priorité :
12/357,744 22.01.2009 US
Titre (EN) LOW COMPRESSIVE FORCE, NON-SILICONE, HIGH THERMAL CONDUCTING FORMULATION FOR THERMAL INTERFACE MATERIAL AND PACKAGE
(FR) FORMULATION À FAIBLE FORCE DE COMPRESSION, SANS SILICONE ET À GRANDE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE POUR MATÉRIAU D'INTERFACE THERMIQUE ET BOÎTIER
Abrégé : front page image
(EN)An improved thermal interface material for semiconductor devices is provided. More particularly, low compressive force, non-silicone, high thermal conductivity formulations for thermal interface material is provided. The thermal interface material comprises a composition of non-silicone organics exhibiting thermal conductivity of approximately 5.5 W/mK or greater and a compressed bond- line thickness of approximately 100 microns or less using a compressive force of approximately 100 psi or less.
(FR)La présente invention concerne un matériau d'interface thermique amélioré pour dispositifs semi-conducteurs, et plus particulièrement une formulation à faible force de compression, sans silicone et à grande conductivité thermique pour un matériau d'interface thermique. Ledit matériau comprend une composition de substances organiques sans silicone présentant une conductivité thermique d'environ 5,5 W/mK ou plus et une épaisseur de plan de joint comprimé d'environ 100 µm ou moins en utilisant une force de compression d'environ 100 psi ou moins.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)