WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010085553) SÉLÉNISATION D'UNE COUCHE DE PRÉCURSEURS CONTENANT DES NANOPARTICULES DE CUINS2
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085553    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/021636
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.01.2010
CIB :
C03B 1/00 (2006.01)
Déposants : PURDUE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 3000 Kent Avenue West Lafayette, IN 47906-1075 (US) (Tous Sauf US).
AGRAWAL, Rakesh [US/US]; (US) (US Seulement).
HILLHOUSE, Hugh [US/US]; (US) (US Seulement).
GUO, Qijie [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AGRAWAL, Rakesh; (US).
HILLHOUSE, Hugh; (US).
GUO, Qijie; (US)
Mandataire : GOEDERTIER, Katie, B.; Brinks Hofer Gilson & Lione P.O. box 10087 Chicago, IL 60610 (US)
Données relatives à la priorité :
61/146,084 21.01.2009 US
Titre (EN) SELENIZATION OF PRECURSOR LAYER CONTAINING CULNS2 NANOPARTICLES
(FR) SÉLÉNISATION D'UNE COUCHE DE PRÉCURSEURS CONTENANT DES NANOPARTICULES DE CUINS2
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabrication of thin films for photovoltaic or electronic applications is provided. The method includes fabricating a nanocrystal precursor layer and selenizing the nanocrystal precursor layer in a selenium containing atmosphere. The nanocrystal precursor layer includes one of CuInS2, Culn(Sy,Se1-y)2, CuGaS2, CuGa(Sy,Se-1-y)2, Cu(lnxGa-1-x)S2, and Cu(lnxGa1-χ)(Sy,Se1-y)2 nanoparticles and combinations thereof, wherein 0≤x≤1 and 1≤y≤0.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de films minces pour applications photovoltaïques ou électroniques, lequel procédé consiste à fabriquer une couche de précurseurs de nanocristaux et séléniser cette couche dans une atmosphère contenant du sélénium. La couche de précurseurs de nanocristaux comprend des nanoparticules de CuInS2, CuIn(Sy,Se1-y)2, CuGaS2, CuGa(Sy,Se-1-y)2, Cu(InxGa-1-x)S2 ou Cu(InxGa1-x)(Sy,Se1-y)2, ou une combinaison de celles-ci, avec 0 < x < 1 et 0 < y < 1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)