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1. (WO2010085356) MODIFICATION DE COMPORTEMENT CATALYTIQUE DE NANOCRISTAUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085356    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/000178
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.01.2010
CIB :
B01J 37/00 (2006.01), B01J 35/00 (2006.01), B01J 23/42 (2006.01)
Déposants : THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY [US/US]; 1705 El Camino Real Palo Alto, CA 94306-1106 (US) (Tous Sauf US).
HOLME, Timothy, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
PRINZ, Friedrich, B. [AT/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOLME, Timothy, P.; (US).
PRINZ, Friedrich, B.; (US)
Mandataire : JACOBS, Ron; 350 Combridge Avenue, Suite 100 Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
61/205,765 23.01.2009 US
Titre (EN) MODIFYING CATALYTIC BEHAVIOR OF NANOCRYSTALS
(FR) MODIFICATION DE COMPORTEMENT CATALYTIQUE DE NANOCRISTAUX
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of providing a desired catalyst electron energy level. The method includes providing a donor material quantum confinement structure (QCS) having a first Fermi level, and providing an acceptor QCS material having a second Fermi level, where the first Fermi level is higher than the second Fermi level. According to the method the acceptor is disposed proximal to the donor to alter an electronic structure of the donor and the acceptor materials to provide the desired catalyst electron energy level.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour fournir un niveau souhaité d'énergie d'électrons de catalyseur. Le procédé consiste à fournir une structure de confinement quantique (QCS) de matériau donneur qui possède un premier niveau de Fermi, et à fournir un matériau QCS accepteur qui possède un second niveau de Fermi, le premier niveau de Fermi étant supérieur au second niveau de Fermi. Selon le procédé, l'accepteur est disposé de façon proximale par rapport au donneur pour modifier une structure électronique des matériaux donneur et accepteur afin de fournir le niveau souhaité d'énergie d'électrons de catalyseur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)