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1. (WO2010085349) TRANSPORT PAR FAISCEAU D'IONS À BASSE ÉNERGIE AMÉLIORÉ EN IMPLANTATION IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085349    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/000167
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 22.01.2010
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Attn: ROBITAILLE, Denis, A. 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915 (US) (Tous Sauf US).
VANDERBERG, Bo [SE/US]; (US) (US Seulement).
DIVERGILIO, William [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : VANDERBERG, Bo; (US).
DIVERGILIO, William; (US)
Données relatives à la priorité :
12/357,973 22.01.2009 US
Titre (EN) ENHANCED LOW ENERGY ION BEAM TRANSPORT IN ION IMPLANTATION
(FR) TRANSPORT PAR FAISCEAU D'IONS À BASSE ÉNERGIE AMÉLIORÉ EN IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An ion implantation method and system that incorporate beam neutralization to mitigate beam blowup, which can be particularly problematic in low-energy, high-current ion beams. The beam neutralization component can be located in the system where blowup is likely to occur. The neutralization component includes a varying energizing field generating component that generates plasma that neutralizes the ion beam and thereby mitigates beam blowup. The energizing field is generated with varying frequency and/or field strength in order to maintain the neutralizing plasma while mitigating the creation of plasma sheaths that reduce the effects of the neutralizing plasma.
(FR)L'invention porte sur un procédé et un système d'implantation ionique qui incorporent une neutralisation de faisceau pour limiter une dislocation de faisceau, qui peut être particulièrement problématique dans des faisceaux ioniques haute intensité et basse énergie. Le composant de neutralisation de faisceau peut être placé dans le système à l'endroit où une dislocation est susceptible de se produire. Le composant de neutralisation comprend un composant générateur de champ d'excitation variable, qui génère un plasma qui neutralise le faisceau ionique, et limite ainsi une dislocation du faisceau. Le champ d'excitation est généré avec une fréquence variable et/ou une intensité de champ variable afin de maintenir le plasma neutralisant tout en limitant la création de gaines de plasma qui réduisent les effets du plasma neutralisant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)