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1. (WO2010085226) UTILISATION D'ÉLECTRODES EN ALLIAGE POUR DOPER LES MEMRISTANCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/085226    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/000517
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 26.01.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070 (US) (Tous Sauf US).
QUITORIANO, Nathaniel, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
OHLBERG, Douglas [US/US]; (US) (US Seulement).
KUEKES, Philip, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Jianhua [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : QUITORIANO, Nathaniel, J.; (US).
OHLBERG, Douglas; (US).
KUEKES, Philip, J.; (US).
YANG, Jianhua; (US)
Mandataire : COLLINS, David, W.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400, M/S 35, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) USING ALLOY ELECTRODES TO DOPE MEMRISTORS
(FR) UTILISATION D'ÉLECTRODES EN ALLIAGE POUR DOPER LES MEMRISTANCES
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of the present invention are direct to nanoscale, reconfigurable, memristor devices. In one aspect, a memristor device comprises an electrode (301,303) and an alloy electrode (502,602). The device also includes an active region (510,610) sandwiched between the electrode and the alloy electrode. The alloy electrode forms dopants in a sub-region of the active region adjacent to the alloy electrode. The active region can be operated by selectively positioning the dopants within the active region to control the flow of charge carriers between the electrode and the alloy electrode.
(FR)Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des dispositifs de memristance reconfigurables nanoscopiques. Dans un aspect, un dispositif de memristance comprend une électrode (301, 303) et une électrode en alliage (502, 602). Le dispositif comprend aussi une zone active (510, 610) intercalée entre l'électrode et l'électrode en alliage. L'électrode en alliage forme des dopants dans une sous-zone de la zone active adjacente à l'électrode en alliage. La zone active peut être utilisée en positionnant sélectivement les dopants dans la zone active pour contrôler le flux de porteurs de charge entre l'électrode et l'électrode en alliage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)