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1. (WO2010085225) PLACEMENT CONTRÔLÉ DES DOPANTS DANS LES ZONES ACTIVES D'UNE MEMRISTANCE

Pub. No.:    WO/2010/085225    International Application No.:    PCT/US2009/000516
Publication Date: 29 juil. 2010 International Filing Date: 26 janv. 2009
IPC: H01L 21/265
H01L 29/40
H01L 27/115
H01L 21/8247
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
QUITORIANO, Nathaniel, J.
KUEKES, Philip, J.
YANG, Jianhua
Inventors: QUITORIANO, Nathaniel, J.
KUEKES, Philip, J.
YANG, Jianhua
Title: PLACEMENT CONTRÔLÉ DES DOPANTS DANS LES ZONES ACTIVES D'UNE MEMRISTANCE
Abstract:
Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des dispositifs de memristance reconfigurables nanoscopiques. Dans un aspect, un dispositif de memristance (500, 600) comprend une zone active (508, 610) intercalée entre une première électrode (301) et une seconde électrode (302). La zone active comprend une zone dopante non volatile (506, 608) sélectivement formée et positionnée dans la zone active.