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1. (WO2010084909) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE FILM MAGNÉTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084909    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050704
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.01.2010
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 2-5-1 Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550 (JP) (Tous Sauf US).
OSADA Tomoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ERNULT Franck [FR/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OSADA Tomoaki; (JP).
ERNULT Franck; (JP)
Mandataire : OKABE Masao; No.602, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-011443 21.01.2009 JP
Titre (EN) METHOD FOR CLEANING MAGNETIC FILM PROCESSING CHAMBER, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC ELEMENT, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE FILM MAGNÉTIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 磁性膜加工チャンバのクリーニング方法、磁性素子の製造方法、および基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a multilayer film, wherein the time for a cleaning process can be reduced. Also disclosed are a method for manufacturing a magnetoresistive effect element, and a substrate processing apparatus. According to an embodiment of the present invention, the inside of an etching apparatus is cleaned with plasma of a mixed gas containing an H2 gas and an O2 gas during an interval between processes. Consequently, the cleaning time is reduced and the productivity is improved.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un film multicouche dans lequel la durée du procédé de nettoyage peut être réduite. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément à effet magnétorésistif, et un appareil de traitement de substrat. Selon un mode de réalisation de l'invention, l'intérieur d'un appareil de gravure est nettoyé au moyen d'un plasma de gaz mélangés contenant un gaz H2 et un gaz O2 pendant un intervalle entre les processus. En conséquence, la durée de nettoyage est réduite et la productivité améliorée.
(JA)本発明は、クリーニング工程の時間を短縮可能な多層膜の製造方法、磁気抵抗効果素子の製造方法、および基板処理装置を提供する。本発明に一実施形態では、エッチング装置内をプロセスの合間にHガス及びOガスを含む混合ガスのプラズマによりクリーニングする。これにより、クリーニング時間が短縮され、生産性が向上する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)