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1. (WO2010084863) DISPOSITIF DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084863    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050583
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 20.01.2010
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (Tous Sauf US).
SATOH, Issei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYANAGA, Michimasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SATOH, Issei; (JP).
MIYANAGA, Michimasa; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiyuki; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP)
Mandataire : NAKATA, Motomi; c/o Sumitomo Electric Industries, Ltd., 1-3, Shimaya 1-chome, Konohana-ku, Osaka-shi, Osaka 5540024 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-013410 23.01.2009 JP
2010-001192 06.01.2010 JP
Titre (EN) APPARATUS FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an apparatus for producing a nitride semiconductor crystal, which has adequate durability and is suppressed in the entrance of impurities from the outside of a crucible. Also disclosed are a method for producing a nitride semiconductor crystal, and a nitride semiconductor crystal. Specifically disclosed is an apparatus (100) for producing a nitride semiconductor crystal, which comprises a crucible (101), a heating unit (125) and a covering unit (110). A starting material (17) is placed within the crucible (101). The heating unit (125) is arranged on the outer periphery of the crucible (101), and heats the inside of the crucible (101). The covering unit (110) is arranged between the crucible (101) and the heating unit (125). The covering unit (110) comprises a first layer (111) which is arranged on the side facing the crucible (101) and formed from a metal that has a higher melting point than the starting material (17), and a second layer (112) which is arranged on the outer side of the first layer (111) and formed from a carbide of the metal that constitutes the first layer (111).
(FR)L'invention concerne un dispositif de fabrication de cristal semi-conducteur de nitrure permettant de fabriquer un cristal semi-conducteur de nitrure possédant des propriétés de durée de vie et réduisant l'entrée d'impuretés depuis une partie extérieure d'un creuset. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication de cristal semi-conducteur de nitrure et un cristal semi-conducteur de nitrure. Le dispositif de fabrication de cristal semi-conducteur de nitrure (100) met en œuvre un creuset (101), une partie de chauffage (125) et une partie de gainage (110). À l'intérieur du creuset (101), est disposée une matière première (17). La partie de chauffage (125) est disposée sur la circonférence extérieure du creuset (101) et chauffe la partie interne du creuset (101). La partie de gainage (110) est disposée entre le creuset (101) et la partie de chauffage (125). La partie de gainage (110) comprend une première couche (111), formée sur un côté faisant face au creuset (101), et composée d'une couche métallique dont le point de fusion est supérieur à celui de la matière première (17) et une seconde couche (112), formée sur un côté de la circonférence extérieure de la première couche (111), et comprenant un carbure métallique constituant la première couche (111).
(JA)耐久性を有し、かつ坩堝の外部から不純物が混入することを抑制した窒化物半導体結晶を製造するための窒化物半導体結晶の製造装置、窒化物半導体結晶の製造方法および窒化物半導体結晶を提供する。 窒化物半導体結晶の製造装置100は、坩堝101と、加熱部125と、被覆部110とを備えている。坩堝101は、原料17を内部に配置する。加熱部125は、坩堝101の外周に配置され、坩堝101の内部を加熱する。被覆部110は、坩堝101と加熱部125との間に配置されている。被覆部110は、坩堝101に対向する側に形成され、かつ原料17の融点よりも高い金属よりなる第1の層111と、第1の層111の外周側に形成され、かつ第1の層111を構成する金属の炭化物よりなる第2の層112とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)