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1. (WO2010084759) TRAITEMENT DE SURFACE POUR FILM DE FLUOROCARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084759    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/000347
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 22.01.2010
CIB :
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
HORIGOME, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUROTORI, Takuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUOKA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NOZAWA, Toshihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HORIGOME, Masahiro; (JP).
KUROTORI, Takuya; (JP).
KOBAYASHI, Yasuo; (JP).
MATSUOKA, Takaaki; (JP).
NOZAWA, Toshihisa; (JP)
Mandataire : MASUTANI, Tsuyoshi; MY Bldg. 701, 1-16 Kitaueno 2-chome, Taito-ku Tokyo 1100014, Japan (JP)
Données relatives à la priorité :
61/205,752 22.01.2009 US
61/207,971 17.02.2009 US
Titre (EN) SURFACE TREATMENT FOR A FLUOROCARBON FILM
(FR) TRAITEMENT DE SURFACE POUR FILM DE FLUOROCARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing semiconductor devices includes the steps of annealing an insulating layer and forming a barrier layer including a metal element over the insulating layer. The insulating layer includes a fluorocarbon (CFx) film. The barrier layer is formed by a high-temperature sputtering process after the annealing step.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs à semi-conducteur qui comprend les étapes consistant à recuire une couche isolante et à former une couche barrière comprenant un élément métallique sur la couche isolante. La couche isolante peut être un film de fluorocarbone (CFx). La couche barrière est formée par un processus de pulvérisation à haute température après l'étape de recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)