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1. (WO2010084758) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084758    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/000342
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.01.2010
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAHASHI, Hirohisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIBASHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
USAMI, Tatsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAI, Masanori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKIYAMA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAHASHI, Hirohisa; (JP).
ISHIBASHI, Satoru; (JP).
USAMI, Tatsumi; (JP).
SHIRAI, Masanori; (JP).
AKIYAMA, Michio; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-013584 23.01.2009 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a solar cell which comprises a transparent conductive film (54) that is formed on a transparent substrate (6, 51). In the method, a target (7), which is composed of a material containing a main constituent material ZnO and a substance containing Al or Ga, is prepared; a first layer (54a) constituting the transparent conductive film (54) is formed by applying a sputtering voltage to the target (7) in a first atmosphere containing a process gas; a second layer (54b) constituting the transparent conductive film (54) is formed on the first layer (54a) by applying a sputtering voltage to the target (7) in a second atmosphere that contains more oxygen gas than the first atmosphere; and a recessed and projected pattern is formed by etching the transparent conductive film (54).
(FR)Ce procédé de fabrication de cellule solaire consiste en un procédé de fabrication de cellule solaire possédant un film conducteur transparent (54) formé sur un substrat transparent (6, 51). Une cible (7) composée d'un matériau comprenant du ZnO en tant que principal élément de structure, et une substance possédant de l'Al et du Ga est préparée. Dans une première atmosphère comprenant un gaz de transformation, une tension de pulvérisation est appliquée sur la cible susmentionnée (7). Une première couche (54a) constituant le film conducteur transparent susmentionné (54) est formée. Dans une seconde atmosphère dont la teneur en gaz d'oxygène est plus importante que celle de la première atmosphère susmentionnée, une tension de pulvérisation est appliquée sur la cible susmentionnée (7). Une seconde couche (54b) constituant le film conducteur transparent susmentionné (54) est formée sur la première couche susmentionnée (54a). Par gravure à sec du film conducteur transparent susmentionné (54), est formée un motif irrégulier.
(JA) この太陽電池の製造方法は、透明基板(6,51)に形成された透明導電膜(54)を有する太陽電池の製造方法であって、主な構成要素であるZnOと、Al又はGaを有する物質とを含む材料からなるターゲット(7)を準備し、プロセスガスを含む第一雰囲気において、前記ターゲット(7)にスパッタ電圧を印加し、前記透明導電膜(54)を構成する第一層(54a)を形成し、前記第一雰囲気よりも酸素ガス量が多い第二雰囲気において、前記ターゲット(7)にスパッタ電圧を印加し、前記透明導電膜(54)を構成する第二層(54b)を前記第一層(54a)上に形成し、前記透明導電膜(54)をエッチングして凹凸形状を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)