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1. (WO2010084682) CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE 3B
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084682    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/071233
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.12.2009
CIB :
C30B 29/38 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-city, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
HIRAO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMAI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIRAO, Takayuki; (JP).
IWAI, Makoto; (JP).
IMAI, Katsuhiro; (JP)
Mandataire : ITEC INTERNATIONAL PATENT FIRM; Pola-Nagoya Bldg., 9-26, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600008 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-012963 23.01.2009 JP
Titre (EN) GROUP 3B NITRIDE CRYSTAL
(FR) CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE 3B
(JA) 3B族窒化物結晶
Abrégé : front page image
(EN)A sapphire substrate on the surface of which a gallium nitride thin film is formed is prepared as a seed crystal substrate and housed in a growth container (12).  Meanwhile, gallium metal and sodium metal are weighed to have a molar ratio of 25-32:68-75, and put into the growth container (12).  The growth container (12) is placed into a reaction chamber (20) and an inlet pipe (22) is connected to the reaction chamber (20), so that the reaction chamber (20) is filled with a nitrogen gas that is supplied from a nitrogen tank (42) through a pressure controlling unit (40).  Then, the inside of the reaction chamber (20) is controlled to have a predetermined nitrogen gas pressure and respective target temperatures are set so that the temperature of a lower heater (46) is higher than the temperature of an upper heater (44), thereby growing a crystal of gallium nitride.  Consequently, a group 3B nitride crystal having a large grain size and a low dislocation density can be obtained.
(FR)Un substrat de saphir à la surface duquel est formée une pellicule mince de nitrure de gallium est préparé comme substrat de cristal germe et est installé dans un récipient de croissance (12). Simultanément, du gallium métallique et du sodium métallique sont pesés de sorte que leur rapport molaire soit de 25-32:68-75 et placés dans le récipient de croissance (12). Le récipient de croissance (12) est placé dans une chambre de réaction (20), un tuyau d'injection (22) est connecté à la chambre de réaction (20) de sorte que la chambre de réaction (20) soit remplie d'azote gazeux injecté depuis un réservoir d'azote gazeux (42) via une unité de contrôle de pression (40). L'intérieur de la chambre de réaction (20) est alors contrôlé pour qu'il maintienne une pression d'azote gazeux spécifique et les températures cibles respectives sont réglées de sorte que la température d'un réchauffeur inférieur (46) soit supérieure à celle d'un réchauffeur supérieur (44), ce qui fait croître un cristal de nitrure de gallium. Cela permet par conséquent d'obtenir un cristal de nitrure du groupe 3B présentant une taille de grain large et une faible densité de dislocation.
(JA) 種結晶基板として、サファイア基板の表面に窒化ガリウムの薄膜が形成されたものを用意し、育成容器12に収容する。また、金属ガリウムと金属ナトリウムとをモル比25~32:68~75となるように秤量して育成容器12に収容する。この育成容器12を反応容器20に入れ、インレットパイプ22を反応容器20に接続し、窒素ボンベ42から圧力制御器40を介して窒素ガスを反応容器20に充填する。そして、反応容器20内が所定の窒素ガス圧となるように制御し、上ヒーター44に比べて下ヒーター46の温度が高くなるように各目標温度を設定し、窒化ガリウムの結晶を成長させる。これにより、グレインサイズが大きく且つ転位密度の小さい3B族窒化物結晶が得られる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)