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1. (WO2010084550) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/084550    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/006949
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 17.12.2009
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : Sanken Electric Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi, Saitama 3528666 (JP) (Tous Sauf US).
INOUE, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KANAZAWA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INOUE, Takashi; (JP).
KANAZAWA, Masaki; (JP)
Mandataire : HORI, Shiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-011732 22.01.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND CONTROL METHOD OF SAME
(FR) MODULE À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(JA) 半導体モジュール及びその制御方法
Abrégé : front page image
(EN)A high density semiconductor module able to suitably detect temperature rise and perform suitable control.  A multilayer structure comprising a lower layer chip (11) and an upper layer chip (12) is mounted on top of a lead frame (15) formed from copper or other material with high thermal conductivity.  Similarly, another multilayer structure comprising a lower layer chip (13) and an upper layer chip (14) is mounted on top of the lead frame (15).  Further, a control circuit chip (16) is mounted between these two multilayer structures.  Temperature sensors (30) are mounted to the inward sides (the sides where the control circuit chip (16) is located) on the upper surfaces of the lower chips (11, 13).  The temperature sensors (30) are set on top of the interconnect (41) which serves as the current path.
(FR)L'invention porte sur un module à semi-conducteur à haute densité capable de détecter de façon appropriée une élévation de température et d'effectuer une commande appropriée. Une structure multicouche comprenant une puce de couche inférieure (11) et une puce de couche supérieure (12) est montée sur le dessus d'une grille de connexion (15) faite de cuivre ou d'un autre matériau à haute conductivité thermique. De façon similaire, une autre structure multicouche comprenant une puce de couche inférieure (13) et une puce de couche supérieure (14) est montée sur le dessus de la grille de connexion (15). En outre, une puce de circuit de commande (16) est montée entre ces deux structures multicouches. Des capteurs de température (30) sont montés sur les côtés intérieurs (les côtés où se trouve la puce du circuit de commande (16)) des surfaces supérieures des puces inférieures (11, 13). Les capteurs de température (30) sont placés au-dessus de l'interconnexion (41) qui sert de chemin au courant.
(JA) 温度上昇を適切に感知して適切な制御を行うことのできる高密度の半導体モジュールを得る。  高熱伝導率をもつ銅等で構成されるリードフレーム15上に、下層チップ11と上層チップ12が積層された積層構造が搭載されている。同様に、このリードフレーム15上に、下層チップ13と上層チップ14が積層された積層構造が搭載されている。 また、これらの2つの積層構造の間に、制御回路チップ16が搭載される。下層チップ11、13の上面における内側(制御回路チップ16のある側)に、温度センサ30が搭載される。電流経路となる配線41上に温度センサ30が設置されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)