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1. (WO2010083933) PROCESSUS DE DISSOLUTION DE LA COUCHE D'OXYDE DANS L'ANNEAU PÉRIPHÉRIQUE D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR-SUR-ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/083933    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/068014
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 30.12.2009
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
LANDRU, Didier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GRITTI, Fabrice [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GUIOT, Eric [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
KONONCHUK, Oleg [US/FR]; (FR) (US Seulement).
VEYTIZOU, Christelle [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LANDRU, Didier; (FR).
GRITTI, Fabrice; (FR).
GUIOT, Eric; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR).
VEYTIZOU, Christelle; (FR)
Mandataire : BRANGER, Jean-Yves; Cabinet Regimbeau Espace Performance Bâtiment K F-35769 Saint Grégoire Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
0950389 22.01.2009 FR
Titre (EN) PROCESS TO DISSOLVE THE OXIDE LAYER IN THE PERIPHERAL RING OF A STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR TYPE
(FR) PROCESSUS DE DISSOLUTION DE LA COUCHE D'OXYDE DANS L'ANNEAU PÉRIPHÉRIQUE D'UNE STRUCTURE DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR-SUR-ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a process to treat a structure of semiconductor-on-insulator type, successively comprising a carrier substrate, an oxide layer (2) and a thin layer of a semiconductor material (3), said structure having a peripheral ring in which the oxide layer (2) is exposed, said process comprising application of a main thermal treatment in a neutral or controlled reducing atmosphere. It comprises a step to cover at least an exposed peripheral part of the oxide layer (2), prior to said main thermal treatment, this latter treatment being conducted under controlled time and temperature conditions so as to urge at least part of the oxygen in the oxide layer (2) to diffuse through the thin semiconductor layer (3), leading to controlled reduction of the thickness of the oxide layer (2).
(FR)L'invention concerne un processus pour traiter une structure de type semi-conducteur-sur-isolant, consistant successivement en un substrat de support, une couche d'oxyde (2) et une couche mince d'un matériau semi-conducteur (3), ladite structure comportant un anneau périphérique dans lequel la couche d'oxyde (2) est exposée, ledit processus consistant en l'application d'un traitement thermique principal dans une atmosphère neutre ou réductrice contrôlée. Il comprend une étape consistant à recouvrir au moins une partie périphérique exposée de la couche d'oxyde (2) avant ledit traitement thermique principal, ce dernier traitement étant réalisé dans des conditions de temps et de température contrôlées de façon à obliger au moins une partie de l'oxygène de la couche d'oxyde (2) à se diffuser à travers la couche semi-conductrice mince (3), engendrant une réduction contrôlée de l'épaisseur de la couche d'oxyde (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)