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1. (WO2010083899) RÉACTEUR POUR PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN SELON LA TECHNOLOGIE MONOSILANE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/083899    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/063198
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 09.10.2009
CIB :
C01B 33/035 (2006.01)
Déposants : SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH [DE/DE]; Robert-Bosch-Strasse 32-34 72250 Freudenstadt (DE) (Tous Sauf US).
STÖCKLINGER, Robert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STÖCKLINGER, Robert; (DE)
Mandataire : EBERLE, Michael; Ruff, Wilhelm, Beier, Dauster & Partner Postfach 10 40 36 70035 Stuttgart (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2009 003 368.8 22.01.2009 DE
Titre (DE) REAKTOR ZUR HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM NACH DEM MONOSILAN-PROZESS
(EN) REACTOR FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON USING THE MONOSILANE PROCESS
(FR) RÉACTEUR POUR PRODUIRE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN SELON LA TECHNOLOGIE MONOSILANE
Abrégé : front page image
(DE)Es ist ein Reaktor (10) zur Herstellung von polykristallinem Silizium offenbart, der mit einem Reaktorboden (2) versehen ist, der eine Vielzahl von Düsen (4) ausgebildet hat. Durch die Düsen (4) strömt ein siliziumhaltiges Gas ein. Ebenso sind auf dem Reaktorboden (2) mehrere Filamentstäbe (6) montiert. Ferner ist eine Gasaustrittöffnung (8) zum Zuführen von verbrauchtem siliziumhaltigem Gas zu einer Anreicherung und/oder Aufbereitung vorgesehen. Die Gasaustrittöffnung (8) ist an einem freien Ende (21) eines Innenrohrs (20) ausgebildet, wobei das Innenrohr (20) durch den Reaktorboden (2) geführt ist.
(EN)The invention relates to a reactor (10) for producing polycrystalline silicon, having a reactor floor (2) having a plurality of nozzles (4) formed therein. A siliceous gas flows in through the nozzles (4). A plurality of filament rods (6) are also mounted on the reactor floor (2). A gas outlet opening (8) for feeding used siliceous gas to an enrichment and/or conditioning is further provided. The gas outlet opening (8) is formed at a free end (21) of an inner tube (20), wherein the inner tube (20) is fed through the reactor floor (2).
(FR)L'invention concerne un réacteur (10) servant à produire du silicium polycristallin et comprenant un fond de réacteur (2) dans lequel sont réalisées une pluralité de buses (4) par lesquelles un gaz contenant du silicium entre dans le réacteur. Plusieurs filaments (6) en forme de baguettes sont également montés sur le fond (2) du réacteur. En outre, un orifice de sortie de gaz (8) sert à amener le gaz usé contenant du silicium à un système d'enrichissement et/ou de régénération. L'orifice de sortie de gaz (8) est réalisé à une extrémité libre (21) d'un tube intérieur (20) qui traverse le fond (2) du réacteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)