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1. (WO2010083867) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR IRRADIER LA SURFACE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PAR ÉNERGIE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/083867    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/009180
Date de publication : 29.07.2010 Date de dépôt international : 21.12.2009
CIB :
B23K 26/00 (2006.01), B23K 26/03 (2006.01)
Déposants : EXCICO FRANCE [FR/FR]; 13-21 Quai des Gresillons, Bat. B7 F-92230 Gennevilliers (FR) (Tous Sauf US).
VENTURINI, Julien [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : VENTURINI, Julien; (FR)
Mandataire : BIIP CVBA; Culliganlaan 1B B-1831 Diegem (BE)
Données relatives à la priorité :
09290050.5 26.01.2009 EP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR IRRADIATING A SEMICONDUCTOR MATERIAL SURFACE BY LASER ENERGY
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR IRRADIER LA SURFACE D'UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PAR ÉNERGIE LASER
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is related to a method for irradiating semiconductor material comprising: irradiating a region of a semiconductor material layer surface with a first laser having laser irradiation parameters to melt at least a part of the region; and controlling the irradiation process by adapting the irradiation parameters; characterized in that the method further comprises determining the depth of the melted region part. Further, the present invention is related to an apparatus for irradiating semiconductor material comprising: a first laser for irradiating a region of a semiconductor layer surface to melt at least a part of the region, said laser having laser irradiation parameters; and a controller for controlling the irradiation process by adapting the laser irradiation parameters; characterized in that the apparatus further comprises means for determining the depth of the melted region part.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour irradier un matériau semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes : l'irradiation d'une région d'une couche superficielle de matériau semi-conducteur par un premier laser possédant des paramètres d'irradiation laser permettant de fondre au moins une partie de la région; et le contrôle du processus d'irradiation par l'adaptation des paramètres d'irradiation. Le procédé est caractérisé en ce qu'il comprend en outre la détermination de la profondeur de la partie fondue de la région. En outre, la présente invention concerne un appareil pour irradier un matériau semi-conducteur, comprenant : un premier laser pour irradier une région d'une couche superficielle de semi-conducteur de manière à fondre au moins une partie de la région, ledit laser possédant des paramètres d'irradiation laser; et un dispositif de commande pour contrôler le processus d'irradiation par l'adaptation des paramètres d'irradiation laser. L'appareil est caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens pour déterminer la profondeur de la partie fondue de la région.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)