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1. (WO2010083510) COMPOSITION ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE RUTHÉNIUM À BASSE TEMPÉRATURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/083510    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/021375
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 19.01.2010
CIB :
C23C 16/00 (2006.01)
Déposants : VEECO INSTRUMENTS, INC. [US/US]; Terminal Drive Plainview, NY 11803 (US) (Tous Sauf US).
PARANJPE, Ajit [US/US]; (US) (US Seulement).
VATS, Vinayak, Veer [IN/US]; (US) (US Seulement).
BUBBER, Randhir [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARANJPE, Ajit; (US).
VATS, Vinayak, Veer; (US).
BUBBER, Randhir; (US)
Mandataire : ALLEN, William, R.; Wood, Herron & Evans, L.L.P. 441 Vine Street 2700 Carew Tower Cincinnati, OH 45202 (US)
Données relatives à la priorité :
61/145,324 16.01.2009 US
Titre (EN) COMPOSITION AND METHOD FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION OF RUTHENIUM
(FR) COMPOSITION ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE RUTHÉNIUM À BASSE TEMPÉRATURE
Abrégé : front page image
(EN)Composition and method for depositing ruthenium. A composition containing ruthenium tetroxide RuO4 is used as a precursor solution 608 to coat substrates 400 via ALD, plasma enhanced deposition, and/or CVD. Periodic plasma densification may be used.
(FR)La présente invention concerne une composition et un procédé de dépôt de ruthénium. Une composition contenant du tétroxyde de ruthénium RuO4 est utilisée en tant que solution précurseur (608) pour revêtir des substrats (400) par ALD, par dépôt assisté par plasma, et/ou CVD. Il est possible d'avoir recours à la densification par plasma périodique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)