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1. (WO2010083014) CELLULE DRAM À CORPS FLOTTANT/GRILLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/083014    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/069642
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 29.12.2009
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 32611 (US) (Tous Sauf US).
FOSSUM, Jerry, G. [US/US]; (US) (US Seulement).
LU, Zhichao [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FOSSUM, Jerry, G.; (US).
LU, Zhichao; (US)
Mandataire : KNIGHT, Sarah, J.; Saliwanchik, Lloyd & Saliwanchik P.o. Box 142950 Gainesville, FL 32614-2950 (US)
Données relatives à la priorité :
61/144,289 13.01.2009 US
Titre (EN) FLOATING-BODY/GATE DRAM CELL
(FR) CELLULE DRAM À CORPS FLOTTANT/GRILLE
Abrégé : front page image
(EN)Memory cell structures and biasing schemes are provided. Certain embodiments pertain to a modified floating-body gate cell, which can provide improved retention times. In one embodiment, a gated diode is used to drive the gate of a second transistor structure of a cell. In another embodiment, a body-tied-source (BTS) field effect transistor is used to drive the gate of the second transistor structure of a cell.
(FR)La présente invention concerne des structures de cellules de mémoire et des schémas de polarisation. Certains modes de réalisation de l'invention concernent des cellules à grille/corps flottant modifiées qui peuvent fournir de meilleurs temps de rétention. Dans un mode de réalisation, une diode à déclenchement périodique est utilisée pour exciter la grille de la seconde structure de transistor d'une cellule. Dans un autre mode de réalisation, un transistor à effet de champ de type source liée au corps (BTS) est utilisé pour exciter la grille de la seconde structure de transistor d'une cellule.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)