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1. (WO2010082922) MEMRISTANCE DOTÉE D'UNE ÉLECTRODE DE FORME TRIANGULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/082922    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030827
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 13.01.2009
CIB :
H01L 27/115 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 1445 Compaq Center Drvie West Houston, Texas 77707 (US) (Tous Sauf US).
PICKETT, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
BORGHETTI, Julien [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PICKETT, Matthew; (US).
BORGHETTI, Julien; (US)
Mandataire : LEE, Denise; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, Mail Stop 35, P.O. Box 272400, Fort Collins, Colorado 80527-2400 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMRISTOR HAVING A TRIANGULAR SHAPED ELECTRODE
(FR) MEMRISTANCE DOTÉE D'UNE ÉLECTRODE DE FORME TRIANGULAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memristor includes a first electrode having a triangular cross section, in which the first electrode has a tip and a base, a switching material positioned upon the first electrode, and a second electrode positioned upon the switching material. The tip of the first electrode faces the second electrode and an active region in the switching material is formed between the tip of the first electrode and the second electrode.
(FR)La memristance selon la présente invention inclut une première électrode dotée d'une coupe transversale triangulaire, ladite première électrode étant pourvue d'une pointe et d'une base, un matériau de commutation disposé sur la première électrode, et une seconde électrode disposée sur le matériau de commutation. La pointe et la première électrode font face à la seconde électrode et une région active dans le matériau de commutation est formée entre la pointe de la première électrode et la seconde électrode.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)