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1. (WO2010082605) CONDENSATEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/082605    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050350
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 14.01.2010
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
ARIKADO, Tsunetoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAITSUKA, Takanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKASAKA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ALBERT, Chin; (TW) (US Seulement)
Inventeurs : ARIKADO, Tsunetoshi; (JP).
KAITSUKA, Takanobu; (JP).
AKASAKA, Yasushi; (JP).
ALBERT, Chin; (TW)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-Chome, Shibuya-Ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-006222 15.01.2009 JP
Titre (EN) CAPACITOR AND PROCESS FOR MANUFACTURING CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) キャパシタ及びキャパシタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a capacitor characterized by comprising: a lower electrode layer comprising an electrically conductive metal or a compound of the metal; a first dielectric film formed on the lower electrode layer and comprising ZrO2; a second dielectric film formed on the first dielectric film and comprising a dielectric material comprising a Ti-containing metal oxide; and an upper electrode layer formed on the second dielectric film.
(FR)Condensateur caractérisé en ce qu'il comprend : une couche d'électrode inférieure constituée d'un métal électriquement conducteur ou d'un composé de ce métal; un premier film diélectrique formé sur la couche d'électrode inférieure et comprenant ZrO2; un second film diélectrique formé sur le premier film diélectrique et comprenant une matière diélectrique comprenant un oxyde métallique contenant du titane; et une couche d'électrode supérieure formée sur le second film diélectrique.
(JA) 導電性を有する金属又は金属化合物からなる下部電極層と、前記下部電極層上に形成されたZrOからなる第1の誘電体膜と、前記第1の誘電体膜上に形成されたTiを含む金属酸化物を有する誘電体からなる第2の誘電体膜と、前記第2の誘電体膜上に形成された上部電極層と、を有することを特徴とするキャパシタを提供することにより上記課題を解決する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)