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1. (WO2010082345) PROCÉDÉ DE FORMATION DE POINTS DE SILICIUM ET APPAREIL DE FORMATION DE POINTS DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/082345    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/050630
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 19.01.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/24 (2006.01), C23C 16/507 (2006.01)
Déposants : NISSIN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 47, Umezu Takase-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158686 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMYO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Eiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIKAMI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Tsukasa; (JP).
TOMYO, Atsushi; (JP).
KATO, Kenji; (JP).
TAKAHASHI, Eiji; (JP).
MIKAMI, Takashi; (JP)
Mandataire : TANIGAWA, Masao; City.Corp.Minamimorimachi 604, 2-7, Minamimorimachi, 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300054 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SILICON-DOT FORMING METHOD, AND SILICON-DOT FORMING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE POINTS DE SILICIUM ET APPAREIL DE FORMATION DE POINTS DE SILICIUM
(JA) シリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a silicon-dot forming method for forming silicon-dots of regular diameters in a homogeneous density distribution over an object substrate on which silicon dots are to be formed, wherein the method includes a wide range of selecting the substrate material in terms of heat resistance; and a silicon-dot forming apparatus for performing the method. A silicon-containing gas is introduced into a plasma-generating chamber, and plasma is generated from the gas by a plasma-generating device. A first positive pulse voltage is applied to a substrate-mounting electrode so that the substrate on the electrode is irradiated with negative ions containing silicon by a first ion energy, thereby to generate nuclei. Next, a second positive pulse voltage is applied to the electrode so that the substrate is irradiated with the negative ions containing the silicon ions by a second ion energy, thereby to cause the silicon dots to grow on the basis of the nuclei.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation de points de silicium pour former des points de silicium de diamètres réguliers dans une distribution de masse volumique homogène sur un substrat objet sur lequel des points de silicium doivent être formés, le procédé comprenant une large plage de sélection du matériau de substrat en termes de résistance thermique ; et sur un appareil de formation de points de silicium pour réaliser le procédé. Un gaz contenant du silicium est introduit dans une chambre de génération de plasma, et un plasma est généré à partir du gaz par un dispositif de génération de plasma. Une première tension d'impulsion positive est appliquée à une électrode à montage sur substrat, de telle sorte que le substrat sur l'électrode est irradié par des ions négatifs contenant du silicium par une première énergie ionique, pour ainsi générer des noyaux. Ensuite, une seconde tension d'impulsion positive est appliquée à l'électrode, de telle sorte que le substrat est irradié par les ions négatifs contenant les ions de silicium par une seconde énergie ionique, amenant ainsi les points de silicium à se développer sur la base des noyaux.
(JA) シリコンドット形成対象基体上に粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成でき、耐熱性の点で基体材料の選択可能範囲が広いシリコンドット形成方法及びシリコンドット形成装置を提供する。 プラズマ生成室内にシリコン含有ガスを導入し、プラズマ生成装置により該ガスからプラズマを発生させ、基体設置電極に第1の正パルス電圧を印加することで、該電極上の基体へシリコンを含む負イオンを第1のイオンエネルギで照射して核を形成し、次いで該電極に第2の正パルス電圧を印加することで、基体へシリコンを含む負イオンを第2のイオンエネルギで照射して該核をもとにシリコンドットを成長させるシリコンドット形成方法及び該方法を実施する装置。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)