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1. (WO2010082342) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/082342    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/050578
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 16.01.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.05.2009    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Yasutaka; (JP)
Mandataire : KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi, 4500002 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および半導体装置の評価方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a process for fabricating a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a rear electrode wherein a layer containing aluminum, a titanium layer, a nickel layer, and a nickel oxidation-prevention layer are laminated from the semiconductor substrate side. The titanium layer of the rear electrode is formed by performing sputtering while setting the partial pressure of oxygen at 5×10-6 Pa or less. The sputtering apparatus comprises a detector for detecting the partial pressure of oxygen, and a controller which makes it possible to perform sputtering in such an atmosphere where the partial pressure of oxygen is 5×10-6 Pa or less with reference to a detection value of the detector.
(FR)L'invention concerne un processus de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur et une électrode arrière dans lequel une couche contenant de l'aluminium, une couche de titane, une couche de nickel et une couche de prévention d'oxydation de nickel sont stratifiées depuis le côté du substrat semi-conducteur. La couche de titane de l'électrode arrière est formée en réalisant une pulvérisation en réglant une pression partielle d'oxygène inférieure ou égale à 5×10-6 Pa. L'appareil de pulvérisation comprend un détecteur servant à détecter la pression partielle d'oxygène, et une commande qui permet de réaliser la pulvérisation dans une atmosphère dans laquelle la pression partielle d'oxygène est inférieure ou égale à 5×10-6 Pa en référence à une valeur de détection du détecteur.
(JA) 半導体基板と、半導体基板側からアルミニウム含有層、チタン層、ニッケル層、ニッケル酸化防止層が積層された裏面電極とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。裏面電極のチタン層は、酸素分圧を5×10-6Pa以下としてスパッタリングを行うことによって形成される。スパッタリング装置は、酸素分圧を検知する検知装置と、検知装置の検知値を参照して酸素分圧を5×10-6Pa以下の雰囲気下でのスパッタリングを実施可能にする制御装置とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)