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1. (WO2010081198) PROCÉDÉS ET STRUCTURES DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/081198    N° de la demande internationale :    PCT/AU2010/000036
Date de publication : 22.07.2010 Date de dépôt international : 15.01.2010
CIB :
H01L 21/225 (2006.01), H01L 21/18 (2006.01), H01L 21/24 (2006.01), H01L 29/00 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED [AU/AU]; Ruppert Myers Building Level 2, Gate 14 Barker Street UNSW Sydney, NSW 2052 (AU) (Tous Sauf US).
MAI, Ly [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
EDWARDS, Matthew, B. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
GREEN, Martin, A. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
HALLAM, Bret [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
HAMEIRI, Ziv [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
KUEPPER, Nicole, B. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
SUGIANTO, Adeline [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
TJAHJONO, Budi, S. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WANG, Stanley [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WENHAM, Alison, M. [AU/AU]; (AU) (US Seulement).
WENHAM, Stuart, R. [AU/AU]; (AU) (US Seulement)
Inventeurs : MAI, Ly; (AU).
EDWARDS, Matthew, B.; (AU).
GREEN, Martin, A.; (AU).
HALLAM, Bret; (AU).
HAMEIRI, Ziv; (AU).
KUEPPER, Nicole, B.; (AU).
SUGIANTO, Adeline; (AU).
TJAHJONO, Budi, S.; (AU).
WANG, Stanley; (AU).
WENHAM, Alison, M.; (AU).
WENHAM, Stuart, R.; (AU)
Mandataire : F B RICE & CO; Level 23 44 Market Street Sydney, NSW 2000 (AU)
Données relatives à la priorité :
2009900187 16.01.2009 AU
2009900171 16.01.2009 AU
Titre (EN) SOLAR CELL METHODS AND STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS ET STRUCTURES DE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic device is formed with a passivated light receiving first surface of a semiconductor material layer of a first dopant type. A region of oppositely doped semiconductor material is formed to create a p-n junction on at least part of a second surface located opposite to the light receiving first surface of the semiconducting material layer. First contacts are formed on the light receiving first surface of the first dopant type semiconductor material layer, and second contacts are formed on the oppositely doped material on the second surface of the semiconductor material layer. A p-type region is formed on a surface of silicon semiconductor material by forming a layer of aluminium over the surface of the silicon material. The aluminium is then spike fired at a temperature above an aluminium-silicon eutectic temperature to form an aluminium semiconductor alloy p-type region. A low temperature solid phase epitaxial growth process is then performed at a temperature below the aluminium- silicon eutectic temperature whereby residual silicon within the aluminium and/or alloyed region form a p-type region at the aluminium/silicon interface by solid phase epitaxial growth.
(FR)Le dispositif photovoltaïque selon la présente invention est formé à l'aide d'une première surface de réception de lumière passivée constituée d'une couche de substance semi-conductrice d'un premier type de dopant. Une région de substance semi-conductrice dopée de façon opposée est formée afin de créer une jonction P-N sur au moins une partie d'une seconde surface située à l'opposé de la première surface de réception de lumière de la couche de substance semi-conductrice. Des premiers contacts sont formés sur la première surface de réception de lumière de la couche de substance semi-conductrice d'un premier type de dopant, et des seconds contacts sont formés sur la substance dopée de façon opposée sur la seconde surface de la couche de substance semi-conductrice. Une région de type P est formée sur une surface d'une substance semi-conductrice de silicium en formant une couche d'aluminium sur la surface de la substance de silicium. L'aluminium est ensuite cuit par pointe à une température supérieure à la température eutectique aluminium-silicium en vue de former une région de type P d'alliage semi-conducteur d'aluminium. Un processus de croissance épitaxiale en phase solide à faible température est ensuite exécuté à une température inférieure à la température eutectique aluminium-silicium, ce qui permet au silicium résiduel à l'intérieur de la région d'aluminium et/ou alliée de former une région de type P à l'interface aluminium/silicium par croissance épitaxiale en phase solide.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)