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1. (WO2010081170) BATTERIE À BASE DE POLY(FLUORURE D'HYDROGÈNE)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/081170    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/020814
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 12.01.2010
CIB :
H01M 4/00 (2006.01)
Déposants : RUTGERS, THE STATE UNIVERSITY [US/US]; Office of Corporate Liaison and Technology Transfer ASB III, 3 Rutgers Plaza, 3rd Flr New Brunswick, New Jersey 08901 (US) (Tous Sauf US).
AMATUCCI, Glenn [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : AMATUCCI, Glenn; (US)
Mandataire : Lubit, Beverly; Greenberg Traurig LLP 200 Park Avenue P.O. Box 677 Florham Park, NJ 07932 (US)
Données relatives à la priorité :
61/144,062 12.01.2009 US
Titre (EN) POLYHYDROGEN FLUORIDE BASED BATTERY
(FR) BATTERIE À BASE DE POLY(FLUORURE D'HYDROGÈNE)
Abrégé : front page image
(EN)The described invention relates to primary and secondary electrochemical energy storage systems, particularly to such systems as battery cells, which use materials that take up and release ions as a means of storing and supplying electrical energy, and methods of fabrication thereof.
(FR)La présente invention concerne des systèmes de stockage d'énergie électrochimique primaires et secondaires, en particulier des systèmes tels que des cellules de batterie, qui utilisent des matériaux qui captent et libèrent des ions comme moyen de stockage et de fourniture d'énergie électrique, et des procédés de fabrication desdits systèmes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)