WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010080815) CAPTEUR DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/080815    N° de la demande internationale :    PCT/US2010/020237
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 06.01.2010
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE) (Tous Sauf US).
LIGER, Matthieu [FR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LIGER, Matthieu; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP Chase Tower 111 Monument Circle, Suite 3250 Indianapolis, IN 46204-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
12/349,860 07.01.2009 US
Titre (EN) ELECTROMAGNETIC RADIATION SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) CAPTEUR DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a semiconductor sensor (100) includes providing a substrate, (102) forming a reflective layer (104) on the substrate, forming a sacrificial layer on the reflective layer, forming an absorber layer (106) with a thickness of less than about 50 nm on the sacrificial layer, forming an absorber in the absorber layer integrally with at least one suspension leg, (110) and removing the sacrificial layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur à semi-conducteur qui comprend, dans un mode de réalisation, les étapes qui consistent à fournir un substrat, à former une couche réfléchissante sur le substrat, à former une couche sacrificielle sur la couche réfléchissante, à former une couche d'absorbeur dont l'épaisseur est inférieure à environ 50 nm sur la couche sacrificielle, à former d'un seul tenant un absorbeur et au moins un pied de suspension dans la couche d'absorbeur, et à éliminer la couche sacrificielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)