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1. (WO2010080420) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE DOUBLE CONFINEMENT ET ULTRA-HAUTE PRESSION DANS UNE CHAMBRE À PLASMA À ÉCARTEMENT RÉGLABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/080420    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/068183
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 16.12.2009
CIB :
H05H 1/34 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
FISCHER, Andreas [US/US]; (US) (US Seulement).
HUDSON, Eric [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FISCHER, Andreas; (US).
HUDSON, Eric; (US)
Mandataire : NGUYEN, Joseph A.; P.O. Box 700640 San Jose, CA 95170 (US)
Données relatives à la priorité :
61/139,481 19.12.2008 US
12/368,843 10.02.2009 US
Titre (EN) METHODS AND APPARATUS FOR DUAL CONFINEMENT AND ULTRA-HIGH PRESSURE IN AN ADJUSTABLE GAP PLASMA CHAMBER
(FR) PROCÉDÉS ET APPAREIL DE DOUBLE CONFINEMENT ET ULTRA-HAUTE PRESSION DANS UNE CHAMBRE À PLASMA À ÉCARTEMENT RÉGLABLE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing system having a plasma processing chamber configured for processing a substrate is provided. The plasma processing system includes at least an upper electrode and a lower electrode for processing the substrate. The substrate is disposed on the lower electrode during plasma processing, where the upper electrode and the substrate forms a first gap. The plasma processing system also includes an upper electrode peripheral extension (UE-PE). The UE-PE is mechanically coupled to a periphery of the upper electrode, where the UE-PE is configured to be non-coplanar with the upper electrode. The plasma processing system further includes a cover ring. The cover ring is configured to concentrically surround the lower electrode, where the UE-PE and the cover ring forms a second gap.
(FR)L'invention concerne un système de traitement au plasma à chambre de traitement au plasma conçue pour le traitement d'un substrat. Le système comprend au moins une électrode supérieure et une électrode inférieure pour le traitement du substrat, qui se trouve sur l'électrode inférieure durant le traitement au plasma. L'électrode supérieure et le substrat forment un premier écartement. Le système comprend aussi une extension périphérique d'électrode supérieure (UE-PE), couplée mécaniquement à une périphérie de cette électrode. L'UE-PE est conçue pour ne pas être dans le même plan que l'électrode supérieure. Le système comprend enfin un anneau de recouvrement conçu pour envelopper de façon concentrique l'électrode inférieure, l'UE-PE et cet anneau formant un second écartement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)