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1. (WO2010080332) PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF À MÉMOIRE NON-VOLATILE CONTENANT UN MATÉRIAU DE STOCKAGE AU CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/080332    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/067602
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 11.12.2009
CIB :
G11C 13/00 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D LLC [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, CA 95035-7932 (US) (Tous Sauf US).
KUMAR, Tanmay [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Xiying [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KUMAR, Tanmay; (US).
CHEN, Xiying; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; The marbury Law Group, PLLC 11800 Sunrise Valley Drive Suite 1000 Reston, VA 20191 (US)
Données relatives à la priorité :
12/314,903 18.12.2008 US
Titre (EN) METHOD OF PROGRAMMING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTAINING A CARBON STORAGE MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION D'UN DISPOSITIF À MÉMOIRE NON-VOLATILE CONTENANT UN MATÉRIAU DE STOCKAGE AU CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile memory cell includes a steering element located in series with a storage element, where the storage element comprises a carbon material. A method of programming the cell includes applying a reset pulse to change a resistivity state of the carbon material from a first state to a second state which is higher than the first state, and applying a set pulse to change a resistivity state of the carbon material from the second state to a third state which is lower than the second state. A fall time of the reset pulse is shorter than a fall time of the set pulse.
(FR)Une cellule de mémoire non-volatile comprend un élément de guidage situé en série avec un élément de stockage, l'élément de stockage comprenant un matériau au carbone. Un procédé de programmation de la cellule comprend l'application d'une impulsion de réinitialisation pour changer un état de résistivité du matériau au carbone et le faire passer d'un premier état à un second état, supérieur au premier état, et l'application d'une impulsion de réglage pour changer un état de résistivité du matériau au carbone et le faire passer du second état à un troisième état, inférieur au second état. Un temps de descente de l'impulsion de réinitialisation est plus court qu'un temps de descente de l'impulsion de réglage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)