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1. (WO2010080277) PROCEDE ET STRUCTURE POUR INTEGRER UNE CELLULE MEMOIRE SANS CONDENSATEUR AVEC LOGIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/080277    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/066951
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 07.12.2009
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Mail Stop 525 8000 South Federal Way Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
SANDHU, Gurtej, S. [GB/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SANDHU, Gurtej, S.; (US)
Mandataire : WALKOWSKI, Joseph, A.; Traskbritt 230 South 500 East, Suite 300 P.o. Box 2550 Salt Lake City, UT 84110-2550 (US)
Données relatives à la priorité :
12/338,404 18.12.2008 US
Titre (EN) METHOD AND STRUCTURE FOR INTEGRATING CAPACITOR-LESS MEMORY CELL WITH LOGIC
(FR) PROCEDE ET STRUCTURE POUR INTEGRER UNE CELLULE MEMOIRE SANS CONDENSATEUR AVEC LOGIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for fabricating integrated circuits include fabricating a logic device on a substrate, forming an intermediate semiconductor substrate on a surface of the logic device, and fabricating a capacitor-less memory cell on the intermediate semiconductor substrate. Integrated circuits with capacitor-less memory cells formed on a surface of a logic device are also disclosed, as are multi-core microprocessors including such integrated circuits.
(FR)L'invention concerne des procédés de fabrication de circuits intégrés qui consistent notamment à fabriquer un dispositif logique sur un substrat, formant un substrat à semi-conducteur intermédiaire sur une surface du dispositif logique, et à fabriquer une cellule mémoire sans condensateur sur le substrat à semi-conducteur intermédiaire. L'invention concerne également des circuits intégrés à cellules mémoire sans condensateur formés sur une surface d'un dispositif logique, ainsi que des microprocesseurs multicoeur comportant de tels circuits intégrés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)