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1. (WO2010080153) RÉGLAGE DU FACTEUR DE MÉRITE (ZT) THERMOÉLECTRIQUE PAR FRITTAGE À HAUTE TEMPÉRATURE ET À HAUTE PRESSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/080153    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/030569
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 09.01.2009
CIB :
H01L 35/34 (2006.01), B01J 3/06 (2006.01)
Déposants : DIAMOND INNOVATIONS, INC. [US/US]; 6325 Huntley Road Worthington, OH 43085 (US) (Tous Sauf US).
MALIK, Abds-sami [US/US]; (US) (US Seulement).
DONG, Yongkwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
DISALVO, Francis, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MALIK, Abds-sami; (US).
DONG, Yongkwan; (KR).
DISALVO, Francis, J.; (US)
Mandataire : GASAWAY, Maria; Diamond Innovations, 6325 Huntley Road, Worthington, OH 43085 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AFFECTING THE THERMOELECTRIC FIGURE OF MERIT (ZT) BY HIGH PRESSURE, HIGH TEMPERATURE SINTERING
(FR) RÉGLAGE DU FACTEUR DE MÉRITE (ZT) THERMOÉLECTRIQUE PAR FRITTAGE À HAUTE TEMPÉRATURE ET À HAUTE PRESSION
Abrégé : front page image
(EN)A method for increasing the ZT of a semiconductor, involves creating a reaction cell including a semiconductor in a pressure-transmitting medium, exposing the reaction cell to elevated pressure and elevated temperature for a time sufficient to increase the ZT of the semiconductor, and recovering the semiconductor with an increased ZT.
(FR)Le procédé permettant d’augmenter le ZT d’un semi-conducteur selon la présente invention comprend une étape consistant à créer une cellule de réaction incluant un semi-conducteur dans un milieu transmettant la pression, une étape consistant à exposer la cellule de réaction à une pression élevée et à une température élevée pendant une durée suffisante pour augmenter le ZT du semi-conducteur, et une étape consistant à recouvrir le semi-conducteur avec un ZT accru.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)