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1. (WO2010079816) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/079816    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/050122
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 08.01.2010
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
TADA, Munehiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAMOTO, Toshitsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HADA, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
BANNO, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TADA, Munehiro; (JP).
SAKAMOTO, Toshitsugu; (JP).
HADA, Hiromitsu; (JP).
BANNO, Naoki; (JP)
Mandataire : KATO, Asamichi; c/o A. Kato & Associates, 20-12, Shin-Yokohama 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-004038 09.01.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor device loaded with a variable resistance element that can increase reliability, increase density and prevent deterioration of insulating characteristics and yield. The semiconductor device has a variable resistance element inside a multilayer wiring layer on a semiconductor substrate. Said variable resistance element has a configuration wherein a variable resistance element film that changes resistance is interposed between an upper electrode and a lower electrode. Said multilayer wiring layer is provided at least with wiring that is electrically connected to said lower electrode and a plug that is electrically connected to said upper electrode. Said wiring also serves as said lower electrode (figure 1).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur monté sur un élément à résistance variable présentant des propriétés de fiabilité, de densité élevée et d'isolation, et capable d'empêcher une détérioration de rendement. Le dispositif semi-conducteur possède, à l'intérieur d'une couche de câblage à multiples épaisseurs sur un substrat semi-conducteur, un élément à résistance variable. L'élément à résistance variable susmentionné possède une structure dans laquelle, entre une électrode supérieure et une électrode inférieure, est intercalée une membrane d'élément à résistance variable dont la résistance varie. La couche de câblage à multiples épaisseurs susmentionnée met en œuvre au moins un câblage électriquement connecté à l'électrode inférieure susmentionnée, et une fiche électriquement connectée à l'électrode supérieure susmentionnée. Le câblage susmentionné sert également d'électrode inférieure susmentionnée ( Figure 1).
(JA) 本発明は、信頼化、高密度化、絶縁特性及び歩留まりの劣化防止が可能な抵抗変化素子を搭載した半導体装置を提供する。半導体基板上の多層配線層の内部に抵抗変化素子を有する半導体装置であって、前記抵抗変化素子は、上部電極と下部電極との間に、抵抗が変化する抵抗変化素子膜が介在した構成となっており、前記多層配線層は、少なくとも、前記下部電極と電気的に接続された配線と、前記上部電極と電気的に接続されたプラグと、備え、前記配線は、前記下部電極を兼ねる(図1)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)