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1. (WO2010079662) CAPTEUR DE PRESSION PIÉZORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/079662    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/070497
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 07.12.2009
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo 1458501 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOYAMA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AOKI, Daigo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKASHIMA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOKOYAMA, Shinya; (JP).
AOKI, Daigo; (JP).
TAKASHIMA, Yutaka; (JP)
Mandataire : AOKI, Hiroyoshi; 7F, Nibancho Cashew Bldg. 4-3, Niban-cho Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-001010 06.01.2009 JP
Titre (EN) PIEZORESISTIVE PRESSURE SENSOR
(FR) CAPTEUR DE PRESSION PIÉZORÉSISTIF
(JA) ピエゾ抵抗型圧力センサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a piezoresistive pressure sensor which can prevent ESD destruction caused by mutual approach of wiring layers of a resistance element accompanying reduction of the element size.  The piezoresistive pressure sensor includes semiconductor resistance layers (20a, 20b) positioned at both sides of arrangement.  The semiconductor resistance layers (20a, 20b) are formed relatively long with respect to an adjacent semiconductor resistance layer (20c) so as to separate an angular portion (R1 (R4)) of a semiconductor wiring connection layer (25 (26)) extending from each of the semiconductor resistance layers (20a, 20b) at the both sides of the arrangement which easily causes particularly ESD, from an angular portion (R2 (R3)) of a semiconductor wiring layer (21b (21a)) arranged at the nearest position to the angular portion (R1 (R4)).
(FR)L'invention concerne un capteur de pression piézorésistif protégé de la destruction par une décharge électrostatique due à la proximité de couches de câblage d'un élément résistif, et bénéficiant d'une taille compacte. Le capteur de pression piézorésistif comprend des couches résistives à semiconducteur (20a, 20b) disposées des deux côtés du montage. Les couches résistives à semiconducteur (20a, 20b) sont relativement longues par rapport à une couche résistive à semiconducteur adjacente (20c) de manière à séparer une partie angulaire (R1 (R4)) d'une couche de liaison de câblage à semiconducteur (25 (26)) s'étendant de chacune des couches résistives à semiconducteur (20a, 20b) des deux côtés du montage, et provoquant facilement des décharges électrostatiques, d'une partie angulaire (R2 (R3)) d'une couche de câblage à semiconducteur (21b (21a)) située à proximité immédiate de la partie angulaire (R1 (R4)).
(JA) 小型化に伴う抵抗素子の配線層同士の接近によってESD破壊が生じることを未然に防止できるピエゾ抵抗型圧力センサを提供すること。本発明のピエゾ抵抗型圧力センサは、配列の両側の各半導体抵抗層(20a,20b)をそれに隣り合う半導体抵抗層(20c)に対して相対的に長く形成することにより、特にESDを引き起こし易い配列の両側の各半導体抵抗層(20a,20b)から延びる半導体配線接続層(25(26))の角部(R1(R4))とそれに最も近い半導体配線層(21b(21a))の角部(R2(R3))とを離隔させるようにしている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)