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1. (WO2010079581) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/079581    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/007330
Date de publication : 15.07.2010 Date de dépôt international : 28.12.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
KASAMI, Masashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INOUE, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANO, Koki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TOMAI, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASHIMA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KASAMI, Masashi; (JP).
INOUE, Kazuyoshi; (JP).
YANO, Koki; (JP).
TOMAI, Shigekazu; (JP).
KAWASHIMA, Hirokazu; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor, 26, Kanda Suda-cho 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2009-002829 08.01.2009 JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 薄膜トランジスタ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor which comprises an oxide semiconductor film containing indium oxide and at least one oxide selected from a group consisting of lanthanum oxide, neodymium oxide, samarium oxide, europium oxide, gadolinium oxide, terbium oxide, dysprosium oxide, holmium oxide, erbium oxide, thulium oxide and ytterbium oxide, wherein the atomic ratio M/(In + M) is 0.1 to 0.4 inclusive when the at least one oxide is represented by M2O3.
(FR)Le transistor à couches minces selon la présente invention comprend une couche semi-conductrice d’oxyde contenant de l’oxyde d’indium et au moins un oxyde sélectionné dans le groupe constitué par l’oxyde de lanthane, l’oxyde de néodyme, l’oxyde de samarium, l’oxyde d’europium, l’oxyde de gadolinium, l’oxyde de terbium, l’oxyde de dysprosium, l’oxyde d’holmium, l’oxyde d’erbium, l’oxyde de thulium et l’oxyde de ytterbium, où le rapport atomique M/(In + M) est de 0,1 à 0,4 inclus lorsque le ou les oxydes sont représentés par M2O3.
(JA) 酸化インジウムと、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化サマリウム、酸化ユウロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム及び酸化イッテリビウムからなる群から選ばれた1種又は2種以上の酸化物をMとしたときに、原子比M/(In+M)の値が、0.1以上0.4以下で含む酸化物半導体膜を含む薄膜トランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)