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1. (WO2010077965) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION AVEC CORRECTIONS DE TYPE PIPELINE POUR DES PERTURBATIONS DE VOISINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/077965    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/068290
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 16.12.2009
CIB :
G11C 16/26 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard Milpitas, California 95035 (US) (Tous Sauf US).
CERNEA, Raul-Adrian [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CERNEA, Raul-Adrian; (US)
Mandataire : YAU, Philip; Davis Wright Tremaine LLP 505 Montgomery Street, Suite 800 San Francisco, California 94111 (US)
Données relatives à la priorité :
12/347,864 31.12.2008 US
Titre (EN) NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD FOR SENSING WITH PIPELINED CORRECTIONS FOR NEIGHBORING PERTURBATIONS
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE ET PROCÉDÉ DE DÉTECTION AVEC CORRECTIONS DE TYPE PIPELINE POUR DES PERTURBATIONS DE VOISINAGE
Abrégé : front page image
(EN)A page of non-volatile multi-level storage elements on a word line WLn is sensed in parallel while compensating for perturbations from a neighboring page on an adjacent word line WLn+1. First, the programmed thresholds of storage elements on WLn+1 are sensed in the time domain and encoded as time markers. This is accomplished by a scanning sense voltage increasing with time. The time marker of a storage element indicates the time the storage element starts to conduct or equivalently when the scanning sense voltage has reached the threshold of the storage element. Secondly, the page on WLn is sensed while the same scanning voltage with an offset level is applied to WLn+1 as compensation. In particular, a storage element on WLn will be sensed at a time indicated by the time marker of an adjacent storage element on WLn+1, the time when the offset scanning voltage develops an appropriate compensating bias voltage on WLn+1.
(FR)Une page d’éléments de stockage à plusieurs niveaux et non volatiles sur une ligne de mot WLn est détectée en parallèle tout en effectuant des compensations pour des perturbations provenant d’une page voisine sur une ligne de mot adjacente WLn+1. Premièrement, les seuils programmés des éléments de stockage sur la ligne WLn+1 sont détectés dans le domaine temporel et codés en tant que marqueurs temporels. Cela est accompli par une tension de détection de balayage augmentant avec le temps. Le marqueur temporel d’un élément de stockage indique le temps auquel l’élément de stockage commence à conduire ou, de manière équivalente, lorsque la tension de détection de balayage a atteint le seuil de l’élément de stockage. Deuxièmement, la page sur la ligne WLn est détectée tandis que la même tension de balayage avec un niveau de décalage est appliquée à la ligne WLn+1 en tant que compensation. En particulier, un élément de stockage sur une ligne WLn sera détecté à un temps indiqué par le marqueur temporel d’un élément de stockage adjacent sur la ligne WLn+1, le temps lorsque la tension de balayage avec décalage développe une tension de polarisation de compensation appropriée sur la ligne WLn+1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)