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1. (WO2010077801) PROCÉDÉ DE FORMATION SIMULTANÉE DE RÉGIONS DOPÉES DOTÉES DE PROFILS D'ÉLÉMENTS DE TYPE À DÉTERMINATION DE CONDUCTIVITÉ DIFFÉRENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/077801    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/067832
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 14.12.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; Law Department AB/2B 101 Columbia Road Morristown, New Jersey 07962 (US) (Tous Sauf US).
LEUNG, Roger Yu-Kwan [US/US]; (US) (US Seulement).
RUTHERFORD, Nicole [US/US]; (US) (US Seulement).
BHANAP, Anil [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEUNG, Roger Yu-Kwan; (US).
RUTHERFORD, Nicole; (US).
BHANAP, Anil; (US)
Mandataire : HENSCHEID, Deborah; Ingrassia Fisher & Lorenz, P.C. 7010 E. Cochise Rd Scottsdale, Arizona 85253 (US)
Données relatives à la priorité :
12/344,748 29.12.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR SIMULTANEOUSLY FORMING DOPED REGIONS HAVING DIFFERENT CONDUCTIVITY-DETERMINING TYPE ELEMENT PROFILES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION SIMULTANÉE DE RÉGIONS DOPÉES DOTÉES DE PROFILS D'ÉLÉMENTS DE TYPE À DÉTERMINATION DE CONDUCTIVITÉ DIFFÉRENTS
Abrégé : front page image
(EN)Method for simultaneously forming doped regions having different conductivity-determining type elements profiles are provided. In one exemplary embodiment, a method comprises the steps of diffusing first conductivity-determining type elements into a first region of a semiconductor material from a first dopant to form a doped first region. Second conductivity-determining type elements are simultaneously diffused into a second region of the semiconductor material from a second dopant to form a doped second region. The first conductivity-determining type elements are of the same conductivity-determining type as the second conductivity-determining type elements. The doped first region has a dopant profile that is different from a dopant profile of the doped second region.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de formation simultanée de régions dopées dotées de profils d'éléments de type à détermination de conductivité différents. Dans un mode de réalisation illustratif, un procédé comprend les étapes consistant à diffuser des premiers éléments de type à détermination de conductivité dans une première région d'un matériau semi-conducteur à partir d'un premier dopant pour former une première région dopée. Des seconds éléments de type à détermination de conductivité sont simultanément diffusés dans une seconde région du matériau semi-conducteur à partir d'un second dopant pour former une seconde région dopée. Les premiers éléments de type à détermination de conductivité sont du même type à détermination de conductivité que les seconds éléments de type à détermination de conductivité. La première région dopée présente un profil de dopant qui est différent d'un profil de dopant de la seconde région dopée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)