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1. (WO2010077611) RETARD À COMMANDE NUMÉRIQUE POUR AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/077611    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/066999
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 07.12.2009
CIB :
G11C 7/06 (2006.01), G11C 7/22 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US) (Tous Sauf US).
PARK, Dongkyu [KR/US]; (US) (US Seulement).
DAVIERWALLA, Anosh B. [IN/US]; (US) (US Seulement).
ZHONG, Cheng [CN/US]; (US) (US Seulement).
ABU-RAHMA, Mohamed Hassan Soliman [EG/US]; (US) (US Seulement).
YOON, Sei Seung [KR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PARK, Dongkyu; (US).
DAVIERWALLA, Anosh B.; (US).
ZHONG, Cheng; (US).
ABU-RAHMA, Mohamed Hassan Soliman; (US).
YOON, Sei Seung; (US)
Mandataire : TALPALATSKY, Sam; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121 (US)
Données relatives à la priorité :
12/329,941 08.12.2008 US
Titre (EN) DIGITALLY-CONTROLLABLE DELAY FOR SENSE AMPLIFIER
(FR) RETARD À COMMANDE NUMÉRIQUE POUR AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION
Abrégé : front page image
(EN)Circuits, apparatuses, and methods of interposing a selectable delay in reading a magnetic random access memory (MRAM) device are disclosed. A circuit includes a sense amplifier (160), having a first input (162), a second input (164), and an enable input (166); a first amplifier (132) coupled to an output of a magnetic resistance-based memory cell (112); a second amplifier (134) coupled to a reference output of the cell; and a digitally-controllable amplifier (136) coupled to a tracking circuit cell (116) that is similar to the cell of the MRAM. The first input of the sense amplifier is coupled to the first amplifier, the second input of the sense amplifier is coupled to the second amplifier, and the enable input is coupled to the third digitally-controllable amplifier via a logic circuit (150). The sense amplifier may generate an output value based on the amplified values received from the output of the magnetic resistance-based memory cell and the reference cell once the sense amplifier receives an enable signal (152) from the digitally-controllable amplifier via the logic circuit.
(FR)L'invention concerne des circuits, appareils et procédés permettant d'interposer un retard pouvant être sélectionné dans la lecture d'un dispositif à mémoire vive magnétique (MRAM). Un tel circuit comprend un amplificateur de détection (160) comportant une première entrée (162), une deuxième entrée (164) et une entrée d'activation (166) ; un premier amplificateur (132) couplé à la sortie d'une cellule mémoire à base de résistance magnétique (112) ; un deuxième amplificateur (134) couplé à une sortie de référence de la cellule ; et un amplificateur à commande numérique (136) couplé à une cellule de circuit de pistage (116) qui est similaire à la cellule de la MRAM. La première entrée de l'amplificateur de détection est couplée au premier amplificateur, la deuxième entrée de l'amplificateur de détection est couplée au deuxième amplificateur, et l'entrée d'activation est couplée au troisième amplificateur à commande numérique via un circuit logique (150). L'amplificateur de détection peut générer une valeur de sortie sur la base des valeurs amplifiées reçues de la sortie de la cellule mémoire à base de résistance magnétique et de la cellule de référence une fois que l'amplificateur de détection reçoit un signal d'activation (152) de l'amplificateur à commande numérique via le circuit logique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)