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1. (WO2010077590) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À MIROIR DIÉLECTRIQUE PRÉSENTANT UNE CONFIGURATION LATÉRALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/077590    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/066938
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 07.12.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.11.2010    
CIB :
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703 (US) (Tous Sauf US).
DONOFRIO, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
EDMOND, John [US/US]; (US) (US Seulement).
IBBETSON, James [GB/US]; (US) (US Seulement).
TING, Li [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DONOFRIO, Matthew; (US).
EDMOND, John; (US).
IBBETSON, James; (US).
TING, Li; (US)
Mandataire : HEYBL, Jaye, G.; Koppel, Patrick, Heybl & Dawson 2815 Townsgate Road Suite 215 Westlake Village, CA 91361-5827 (US)
Données relatives à la priorité :
12/329,722 08.12.2008 US
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH A DIELECTRIC MIRROR HAVING A LATERAL CONFIGURATION
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À MIROIR DIÉLECTRIQUE PRÉSENTANT UNE CONFIGURATION LATÉRALE
Abrégé : front page image
(EN)A light emitting diode (10) is disclosed that includes an active structure (11,12), a first ohmic contact (15) on the active structure, and a transparent conductive oxide layer (13) on the active structure opposite the first ohmic contact. The transparent conductive oxide layer (13) has a larger footprint than said active structure (11,12). A dielectric mirror (14) is positioned on the transparent conductive oxide layer (13) opposite said active structure (11, 12) and a second contact (16) is positioned on the transparent conductive oxide layer (13) opposite the dielectric mirror (14) and separated from the active structure (11,12).
(FR)L'invention porte sur une diode électroluminescente qui comprend une structure active, un premier contact ohmique sur la structure active et une couche d'oxyde conducteur transparent sur la structure active opposée au premier contact ohmique. La couche d'oxyde conducteur transparent présente une plus grande zone de couverture que ladite structure active. Un miroir diélectrique est positionné sur la couche d'oxyde conducteur transparent opposée à ladite structure active et un second contact est positionné sur la couche d'oxyde conducteur transparent opposée au miroir diélectrique et séparé de la structure active.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)