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1. (WO2010076837) ÉVITEMENT DE DÉGRADATION DE MATÉRIAU CHALCOGÉNURE DURANT LA DÉFINITION D'UNE STRUCTURE D'EMPILEMENT MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076837    N° de la demande internationale :    PCT/IT2008/000827
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 31.12.2008
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : NUMONYX B.V. [CH/CH]; Zone d'activites La Pièce 2 A-One Business Center, Route de I'Etraz CH-1180 Rolle (CH) (Tous Sauf US).
MAGISTRETTI, Michele [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
PETRUZZA, Pietro [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
SCIARRILLO, Samuele [IT/IT]; (IT) (US Seulement).
CASELLATO, Cristina [IT/IT]; (IT) (US Seulement)
Inventeurs : MAGISTRETTI, Michele; (IT).
PETRUZZA, Pietro; (IT).
SCIARRILLO, Samuele; (IT).
CASELLATO, Cristina; (IT)
Mandataire : FAGGIONI, Carlo Maria; FUMERO STUDIO CONSULENZA BREVETTI Via S. Agnese 12 20123 MILANO (IT)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AVOIDING DEGRADATION OF CHALCOGENIDE MATERIAL DURING DEFINITION OF MULTILAYER STACK STRUCTURE
(FR) ÉVITEMENT DE DÉGRADATION DE MATÉRIAU CHALCOGÉNURE DURANT LA DÉFINITION D'UNE STRUCTURE D'EMPILEMENT MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)A storage element structure for phase change memory (PCM) cell and a method for forming such a structure are disclosed. The method of forming a storage element structure, comprises providing a multilayer stack comprising a chalcogenide layer (206), a metal cap layer (208), and a dielectric hard mask layer (210), depositing and patterning a photo resist layer (212) on top of the multilayer stack, etching the dielectric hard mask layer using the photo resist layer as etch mask, after the dielectric hard mask layer is etched, removing the photo resist layer before etching the chalcogenide, etching the chalcogenide layer using the dielectric hard mask layer as etch mask, depositing a spacer dielectric (214) over the multilayer stack and anisotropically etching the spacer dielectric to form sidewall spacers (216) for the multilayer stack.
(FR)L'invention porte sur une structure d'élément de stockage pour cellule de mémoire à changement de phase (PCM) et sur un procédé de formation d'une telle structure. Le procédé de formation d'une structure d'élément de stockage consiste à utiliser un empilement multicouche comprenant une couche de chalcogénure (206), une couche de revêtement métallique (208) et une couche de masque dur diélectrique (210), déposer et former les motifs d'une couche de photorésist (212) sur le dessus de l'empilement multicouche, graver la couche de masque dur diélectrique en utilisant la couche de photorésist en tant que masque de gravure, une fois que la couche de masque dur diélectrique est gravée, retirer la couche de photorésist avant gravure du chalcogénure, graver la couche de chalcogénure en utilisant la couche de masque dur diélectrique en tant que masque de gravure, déposer un diélectrique d'espacement (214) au-dessus de l'empilement multicouche et graver de façon anisotrope le diélectrique d'espacement afin de former des espaceurs de paroi latérale (216) pour l'empilement multicouche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)