WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010076833) CIRCUIT DE COMMANDE DE LIGNE DE MOTS COMPRENANT UNE RÉSISTANCE DE POLARISATION À L'ALIMENTATION ET UN TRANSISTOR D'EXCURSION BASSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/076833    N° de la demande internationale :    PCT/IT2008/000822
Date de publication : 08.07.2010 Date de dépôt international : 31.12.2008
CIB :
G11C 16/08 (2006.01), G11C 8/08 (2006.01)
Déposants : PELLIZZER, Fabio [IT/IT]; (IT).
PIROVANO, Agostino [IT/IT]; (IT).
REDAELLI, Andrea [IT/IT]; (IT).
VIMERCATI, Daniele [IT/IT]; (IT)
Inventeurs : PELLIZZER, Fabio; (IT).
PIROVANO, Agostino; (IT).
REDAELLI, Andrea; (IT).
VIMERCATI, Daniele; (IT)
Mandataire : DE GREGORI, Antonella; Barzano' & Zanardo Milano S.p.A. Via Borgonuovo 10 I-20121 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WORD-LINE DRIVER INCLUDING PULL-UP RESISTOR AND PULL-DOWN TRANSISTOR
(FR) CIRCUIT DE COMMANDE DE LIGNE DE MOTS COMPRENANT UNE RÉSISTANCE DE POLARISATION À L'ALIMENTATION ET UN TRANSISTOR D'EXCURSION BASSE
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments include but are not limited to apparatuses and system (114) and a storage element (116) coupled to the selector. A word-line (110) may be coupled to the memory cells and may have a word-line driver (204) including a pull-up resistor (220) coupled to the selectors for the memory cells to access respective storage elements of the memory cells. Other embodiments may be described and claimed.
(FR)Selon des modes de réalisation, la présente invention porte sur, mais n'est pas limitée à, des appareils et un système (114) et sur un élément de stockage (116) couplé au sélecteur. Une ligne de mots (110) peut être couplée aux cellules mémoires et peut avoir un circuit de commande de ligne de mots (204) comprenant une résistance de polarisation à l'alimentation (220) couplée aux sélecteurs pour que les cellules mémoires accèdent à des éléments de stockage respectifs des cellules mémoires. L'invention porte également sur d'autres modes de réalisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)